[发明专利]掩膜版、掩膜图案生成控制系统及方法、掩膜系统

说明书

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，特别是一种掩膜版、掩膜图案生成控制系统、掩膜系统及掩膜图案生成控制方法。

背景技术

在半导体制作过程中，各层电路的制作都需要一套相应的光刻掩膜版，用来形成半导体制作中所需要的各类电路图形。

传统的光刻掩膜版的制作方法采用石英玻璃上镀一层金属铬，再通过光刻和刻蚀工艺得到与待形成的电路图形相对应的掩膜图形。

光刻掩膜版的金属铬具有极佳的紫外光阻挡性能，而石英玻璃具有较好的紫外光透射性能。在半导体制作过程中，首先需要在光刻掩膜版上成形与电路图案对应的掩膜图案，半导体各层的电路图形与光刻掩膜版上的金属铬刻蚀后的图形相对应。

通过紫外光的照射，被金属铬阻挡的紫外光不能照射到基板上的光刻胶，而没有金属铬阻档的部分，紫外光可以照射到基板上的光刻胶，使光刻胶发生反应，对于正性光刻胶而言，进行显影时，被紫外光照射的光刻胶在显影液中溶解，而未被紫外光照射的光刻胶不溶解于显影液中。对于负性光刻胶而言，正好相反。从而在基板上形成所需要的光刻胶电路图形，通过刻蚀工艺后即可得到所需要的电路图形。

然而现有的掩膜版存在成本较高的缺点，说明如下。

现有的掩膜版制作是通过在石英玻璃上沉积金属铬，再进行光刻和湿刻工艺得到半导体制作过程中所需要的各层电路图形。因此，一块光刻掩膜版只能对应一个电路图形，如果对应的电路图形发生变化，则需要重新定义掩膜图案，重新制造新的掩膜版。

而光刻掩膜版在进行重新制作的过程中，工艺复杂，成本很高，几乎与制作一块新的光刻掩膜版的制作成本相当，因此掩膜版存在成本高昂的缺点。

上述是以紫外线曝光为例进行的说明，但其他的通过阻挡射线作用于光刻胶的曝光方式也存在同样的缺点，在此不一一说明。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种掩膜版、掩膜图案生成控制系统、掩膜系统及掩膜图案生成控制方法，降低掩膜版的成本。

为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种掩膜版，包括一能够透过曝光激励的本体，所述本体内形成有一图案形成腔，所述图案形成腔的底部为一水平面，所述本体上还设置有一用于容纳能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的容纳腔，所述容纳腔与所述图案形成腔连通，使得所述粉状物质能够在一图案生成激励的作用下，进入所述图案形成腔，并在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

上述的掩膜版，其中，所述本体上还形成有一从外部通向所述容纳腔的通道，所述掩膜版还包括：

开口控制单元，用于打开或关闭所述通道。

上述的掩膜版，其中，所述曝光激励为紫外线，所述粉状物质为磁粉，所述图案生成激励为磁场。

为了实现上述目的，本发明实施例还提供了一种掩膜图案生成控制系统，用于作用于一掩膜版以生成掩膜图案，所述掩膜版具有一水平面，所述掩膜图案生成控制系统包括：

激励生成装置，用于生成一作用于能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的图案生成激励，使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

上述的掩膜图案生成控制系统，其中，所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体，所述本体内形成有一图案形成腔，所述水平面为所述图案形成腔的底部，所述本体上还设置有一用于容纳所述粉状物质的容纳腔，所述容纳腔与所述图案形成腔连通。

上述的掩膜图案生成控制系统，其中，所述激励源生成装置具体包括：

获取模块，用于获取所述电路图案；

转换模块，用于将所述电路图案转换为所述掩膜图案；

第一激励生成模块，用于根据所述掩膜图案，生成作用于所述图案形成腔中的粉状物质的图案生成激励，使得进入所述图案形成腔的所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

上述的掩膜图案生成控制系统，其中，所述掩膜图案生成控制系统还包括：

第二激励生成模块，用于生成作用于所述容纳腔的粉状物质，使得所述容纳腔的粉状物质进入所述图案形成腔的位置控制激励。

上述的掩膜图案生成控制系统，其中，还包括：

第三激励生成模块，用于生成作用于形成所述掩膜图案的粉状物质的还原激励，破坏所述粉状物质之间的结合力，使得所述粉状物质散布于所述水平面。

上述的掩膜图案生成控制系统，其中，所述本体上还形成有一从外部通向所述容纳腔的通道，所述掩膜版还包括：

开口控制单元，用于打开或关闭所述通道。

上述的掩膜图案生成控制系统，其中，还包括：