[发明专利]掩膜版、掩膜图案生成控制系统及方法、掩膜系统

权利要求书

1.一种掩膜版，包括一能够透过曝光激励的本体，其特征在于，所述本体内形成有一图案形成腔，所述图案形成腔的底部为一水平面，所述本体上还设置有一用于容纳能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的容纳腔，所述容纳腔与所述图案形成腔连通，使得所述粉状物质能够在一图案生成激励的作用下，进入所述图案形成腔，并在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述曝光激励为紫外线，所述粉状物质为磁粉，所述图案生成激励为磁场。

3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述本体上还形成有一从外部通向所述容纳腔的通道，所述掩膜版还包括：

开口控制单元，用于打开或关闭所述通道。

4.一种掩膜图案生成控制系统，用于作用于一掩膜版以生成掩膜图案，其特征在于，所述掩膜版具有一水平面，所述掩膜图案生成控制系统包括：

激励生成装置，用于生成一作用于能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的图案生成激励，使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

5.根据权利要求4所述的掩膜图案生成控制系统，其特征在于，所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体，所述本体内形成有一图案形成腔，所述水平面为所述图案形成腔的底部，所述本体上还设置有一用于容纳所述粉状物质的容纳腔，所述容纳腔与所述图案形成腔连通。

6.根据权利要求5所述的掩膜图案生成控制系统，其特征在于，所述激励源生成装置具体包括：

获取模块，用于获取所述电路图案；

转换模块，用于将所述电路图案转换为所述掩膜图案；

第一激励生成模块，用于根据所述掩膜图案，生成作用于所述图案形成腔中的粉状物质的图案生成激励，使得进入所述图案形成腔的所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

7.根据权利要求6所述的掩膜图案生成控制系统，其特征在于，所述掩膜图案生成控制系统还包括：

第二激励生成模块，用于生成作用于所述容纳腔的粉状物质，使得所述容纳腔的粉状物质进入所述图案形成腔的位置控制激励。

8.根据权利要求6所述的掩膜图案生成控制系统，其特征在于，还包括：

第三激励生成模块，用于生成作用于形成所述掩膜图案的粉状物质的还原激励，破坏所述粉状物质之间的结合力，使得所述粉状物质散布于所述水平面。

9.根据权利要求6所述的掩膜图案生成控制系统，其特征在于，还包括：

第四激励生成模块，用于生成作用于所述图案形成腔中的粉状物质，使得所述图案形成腔中的粉状物质进入所述容纳腔的复位激励。

10.根据权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述本体上还形成有一从外部通向所述容纳腔的通道，所述掩膜版还包括：

开口控制单元，用于打开或关闭所述通道。

11.根据权利要求4-10中任意一项所述的掩膜图案生成控制系统，其特征在于，所述曝光激励为紫外线，所述图案生成激励为磁场，所述粉状物质为磁粉。

12.一种掩膜图案生成控制方法，用于作用于一掩膜版以生成掩膜图案，其特征在于，所述掩膜版具有一水平面，所述掩膜图案生成控制系统包括：

激励生成步骤，生成一作用于能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的图案生成激励，使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

13.根据权利要求12所述的掩膜图案生成控制方法，其特征在于，所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体，所述本体内形成有一图案形成腔，所述水平面为所述图案形成腔的底部，所述本体上还设置有一用于容纳所述粉状物质的容纳腔，所述容纳腔与所述图案形成腔连通。

14.根据权利要求13所述的掩膜图案生成控制方法，其特征在于，所述激励生成步骤具体包括：

获取所述电路图案；

将所述电路图案转换为所述掩膜图案；

根据所述掩膜图案，生成作用于所述图案形成腔中的粉状物质的图案生成激励，使得进入所述图案形成腔的所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

15.一种掩膜系统，包括一掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体，所述本体内形成有一图案形成腔，所述图案形成腔的底部为一水平面，所述本体上还设置有一用于容纳能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的容纳腔，所述容纳腔与所述图案形成腔连通，所述掩膜系统还包括：

激励生成装置，用于生成一作用于所述粉状物质的图案生成激励，使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。