[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法在审
申请号: | 201410110086.3 | 申请日: | 2014-03-21 |
公开(公告)号: | CN104934543A | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
发明(设计)人: | 周明杰;黄辉;张振华;陈吉星;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域,尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
在传统的有机电致发光领域中,电子传输速率都要比空穴传输速率低两三个数量级,因而极易造成激子复合几率的低下,并且使其复合的区域不在发光区域,从而导致发光效率降低。
发明内容
基于此,有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件。
一种有机电致发光器件,在一个实施例中包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极;
所述电子阻挡层的材料为小分子化合物和空穴传输材料的混合物,所述小分子化合物为锌化合物、铯盐、噻吩小分子或有机硅小分子,所述锌化合物为氧化锌、氯化锌或硫化锌,所述铯盐为氟化铯、碳酸铯、氯化铯或叠氮铯,所述噻吩小分子为3-己基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩,所述有机硅小分子为二苯基二(o-甲苯基)硅、p-二(三苯基硅)苯、1,3-双(三苯基硅)苯或p-双(三苯基硅)苯。
在一个实施例中,所述电子阻挡层的材料为质量比为0.05~0.2:1的所述锌化合物和所述铯盐之一与所述空穴传输材料的混合物,所述空穴传输材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。
在一个实施例中,所述空穴阻挡层的材料为铼化合物,所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼;
所述电子阻挡层的厚度为10nm~50nm,所述空穴阻挡层的厚度为1nm~15nm。
在一个实施例中,所述空穴阻挡层的材料为质量比为5~10:1的空穴掺杂客体材料和磷光材料的混合物,所述空穴掺杂客体材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺,所述磷光材料为双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱;
所述电子阻挡层的厚度为2nm~20nm,所述空穴阻挡层的厚度为5nm~20nm。
在一个实施例中,所述电子阻挡层的材料为质量比为1:5~15的所述噻吩小分子和所述空穴传输材料的混合物,所述空穴传输材料为N,N,N',N’-(四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷;
所述空穴阻挡层的材料为质量比为15~40:1的酞菁类金属化合物和磷光材料的混合物,所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒,所述磷光材料双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱;
所述电子阻挡层的厚度为5nm~20nm,所述空穴阻挡层的厚度为5nm~15nm。
在一个实施例中,所述电子阻挡层的材料为质量比为1~3:1的所述有机硅小分子和所述空穴传输材料的混合物,所述空穴传输材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺;
所述空穴阻挡层的材料为质量比为3~5:1的酞菁类金属化合物和铍配合物的混合物,所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒,所述铍配合物为吩基吡啶铍、10-羟基苯并喹啉铍、8-羟基喹啉铍或2-甲基-8-羟基喹啉铍;
所述电子阻挡层的厚度为10nm~40nm,所述空穴阻挡层的厚度为10nm~50nm。
在一个实施例中,所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒,所述空穴注入层的厚度为20nm~80nm;
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