[发明专利]降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法在审
| 申请号： | 201410107152.1 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103928323A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;冯志红;王元刚;徐鹏;尹甲运;敦少博 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 hemt 器件 欧姆 接触 电阻 方法 | ||
1.一种降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，其特征在于包括以下步骤：
1）外延结构生长，依次在衬底上形成GaN层和势垒层；
2）在势垒层的上表面生长SiO2层；
3）利用反应离子刻蚀设备在漏源欧姆区域刻蚀SiO2层至势垒层的上表面；
4）利用电感耦合等离子体刻蚀设备在源漏欧姆区域刻蚀GaN材料，刻蚀至GaN层和势垒层异质结界面以下，而后使用高温退火炉进行退火处理；
5）利用MBE或MOCVD设备在源漏欧姆区域二次外延n型重掺杂GaN材料；
6）腐蚀掉势垒层上表面剩余的SiO2，得到未生长漏源电极的HEMT器件。
2.根据权利要求1所述的降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，其特征在于：所述势垒层的使用材料为AlGaN、InAlN或AlN。
3.根据权利要求1所述的降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，其特征在于：所述SiO2层厚度为20-300nm。
4.根据权利要求3所述的降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，其特征在于：所述SiO2层厚度为150nm。
5.根据权利要求1所述的降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，其特征在于：在步骤4）中需刻蚀至GaN层和势垒层异质结界面以下40±10nm处。
6.根据权利要求5所述的降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，其特征在于：在步骤4）中需刻蚀至GaN层和势垒层异质结界面以下40nm处。
7.根据权利要求1所述的降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，其特征在于：在步骤4）中，使用退火炉在纯氮气氛或真空气氛中对上述器件进行退火处理，退火温度为300-800℃，退火时间为0.5-3分钟。
8.根据权利要求7所述的降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，其特征在于：在步骤4）中退火温度为450℃，退火时间为2分钟。
9.根据权利要求1所述的降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，其特征在于：在步骤5）中二次外延n型重掺杂GaN材料的厚度需超过异质结界面。
10.根据权利要求9所述的降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，其特征在于：在步骤5）中二次外延n型重掺杂GaN材料的厚度高于异质结界面50nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
