[发明专利]电路装置以及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及电路装置以及电子设备等。

背景技术

作为驱动直流电机的电机驱动器，已知一种通过控制截断电流从而对电机的转速进行控制的方法。在该方法中，通过利用检测电阻来对流通于H桥接电路的电流进行电流/电压转换，并将该电压与基准电压进行比较，从而对截断电流进行检测。另外，通过将该检测结果反馈给控制电路，并对桥接电路的驱动信号进行PWM(脉冲宽度调制)控制，从而使电机以固定的速度进行旋转。作为这样的电机驱动器的现有技术，已知专利文献1、2所公开的技术。

该电机驱动器的H桥接电路具有驱动用的第一晶体管～第四晶体管(开关元件)，第一、第四晶体管和第二、第三晶体管相对于电机以对角的方式电连接。另外，在充电期间内，第一、第四晶体管处于导通。由此，电机的正极侧(+)端子被设定为高电位的电压，负极侧(－)端子被设定为低电位的电压。另一方面，在衰减期间内，第二、第三晶体管处于导通。由此，电机的正极侧端子被设定为低电位的电压，负极侧端子被设定为高电位的电压。

在以此方式从充电期间切换到衰减期间时，电机的端子的节点处将产生急剧的电压变动。在这种情况下，在驱动用的晶体管上存在有栅极电容(栅极－漏极间电容)。因此，可以明确，当电机的端子的节点上产生急剧的电压变动时，该电压变动将通过栅极电容而向驱动用的晶体管的栅极节点传递，从而产生所谓的自导通，由此产生流通有贯穿电流等的异常状态。

专利文献1：日本特开2003－189683号公报

专利文献2：日本特开2008－042975号公报

发明内容

根据本发明的几个方式，能够提供一种电路装置以及电子设备，其能够抑制因桥接电路的晶体管的自导通等而引起的异常状态的发生。

本发明的一个方式涉及一种电路装置，其包括：H桥型或半桥型的桥接电路，其具有P型的第一晶体管和N型的第二晶体管，其中，所述P型的第一晶体管被设置在高电位侧电源的节点与第一节点之间，所述N型的第二晶体管被设置在所述第一节点与低电位侧电源的节点之间；前级驱动器电路，其向所述第一晶体管的第一栅极节点输出第一驱动信号，向所述第二晶体管的第二栅极节点输出第二驱动信号；第一开关电路，其被设置在所述高电位侧电源的节点与所述第一晶体管的所述第一栅极节点之间；控制电路，其实施对所述第一开关电路的导通、断开控制，在所述前级驱动器电路向所述第一晶体管的所述第一栅极节点输出低电平的所述第一驱动信号的期间内，所述控制电路将所述第一开关电路设为断开，在所述前级驱动器电路使所述第一驱动信号由低电平变化到高电平时，所述控制电路将所述第一开关电路从断开设为导通。

在本发明的一个方式中，在高电位侧电源的节点与第一晶体管的第一栅极节点之间设置有第一开关电路。另外，在向P型的第一晶体管的第一栅极节点输出低电平的第一驱动信号的期间内，第一开关电路处于断开。由此，能够抑制无谓的消耗电流经由第一开关电路而流通的事态。另外，当第一驱动信号由低电平向高电平变化时，第一开关电路从断开变为导通。如此，即使在例如于第一晶体管的作为漏极节点的第一节点处存在较大的电压变动的情况下，也由于第一栅极节点通过第一开关电路而被设定为高电位侧电源的电压电平，因此能够抑制第一晶体管自导通的异常事态的发生。

另外，在本发明的一个方式中，可以采用如下方式，即，所述控制电路在从所述前级驱动器电路使所述第一驱动信号由低电平变化到高电平的时刻起经过了所给的期间后的时刻，将所述第一开关电路从断开设为导通。

另外，在本发明的一个方式中，可以采用如下方式，即，所述控制电路在与所述前级驱动器电路使所述第一驱动信号由高电平向低电平变化的时刻相比提前了所给的期间的时刻，将所述第一开关电路从导通设为断开。

如此，能够抑制如下的事态等，即，构成前级驱动器电路的晶体管的导通期间与第一开关电路的导通期间重叠，从而流通有贯穿电流的事态等。

另外，在本发明的一个方式中，可以采用如下方式，即，还包括电平转换器，所述前级驱动器电路具有第一前级驱动器，所述第一前级驱动器向所述第一晶体管的所述第一栅极节点输出所述第一驱动信号，在将所述高电位侧电源的电压设为VBB，将所述低电位侧电源的电压设为VSS，并将所述高电位侧电源与所述低电位侧电源之间的第二低电位侧电源的电压设为VSS2时，所述第一前级驱动器向所述第一晶体管的所述第一栅极节点输出VBB～VSS2的振幅范围的所述第一驱动信号，所述电平转换器将使所述第一开关电路导通、断开的控制信号的振幅范围向VBB～VSS2的振幅范围进行电平转换，其中，VBB＞VSS2＞VSS。