[发明专利]电路装置以及电子设备有效
申请号: | 201410106661.2 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN104079286B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 井上胜己 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人: | 黄威,苏萌萌 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 装置 以及 电子设备 | ||
1.一种电路装置,其特征在于,包括:
H桥型或半桥型的桥接电路,其具有P型的第一晶体管和N型的第二晶体管,其中,所述P型的第一晶体管被设置在高电位侧电源的节点与第一节点之间,所述N型的第二晶体管被设置在所述第一节点与低电位侧电源的节点之间;
前级驱动器电路,其向所述第一晶体管的第一栅极节点输出第一驱动信号,向所述第二晶体管的第二栅极节点输出第二驱动信号;
第一开关电路,其被设置在所述高电位侧电源的节点与所述第一晶体管的所述第一栅极节点之间;
控制电路,其实施对所述第一开关电路的导通、断开控制,
在所述前级驱动器电路向所述第一晶体管的所述第一栅极节点输出低电平的所述第一驱动信号的期间内,所述控制电路将所述第一开关电路设为断开,
在所述前级驱动器电路使所述第一驱动信号由低电平变化到高电平之后,所述控制电路将所述第一开关电路从断开设为导通。
2.如权利要求1所述的电路装置,其特征在于,
所述控制电路在从所述前级驱动器电路使所述第一驱动信号由低电平变化到高电平的时刻起经过了所给的期间后的时刻,将所述第一开关电路从断开设为导通。
3.如权利要求2所述的电路装置,其特征在于,
所述控制电路在与所述前级驱动器电路使所述第一驱动信号由高电平向低电平变化的时刻相比提前了所给的期间的时刻,将所述第一开关电路从导通设为断开。
4.如权利要求1至3中任一项所述的电路装置,其特征在于,
还包括电平转换器,
所述前级驱动器电路具有第一前级驱动器,所述第一前级驱动器向所述第一晶体管的所述第一栅极节点输出所述第一驱动信号,
在将所述高电位侧电源的电压设为VBB,将所述低电位侧电源的电压设为VSS,并将所述高电位侧电源与所述低电位侧电源之间的第二低电位侧电源的电压设为VSS2时,
所述第一前级驱动器向所述第一晶体管的所述第一栅极节点输出VBB~VSS2的振幅范围的所述第一驱动信号,
所述电平转换器将使所述第一开关电路导通、断开的控制信号的振幅范围向VBB~VSS2的振幅范围进行电平转换,
其中,VBB>VSS2>VSS。
5.如权利要求4所述的电路装置,其特征在于,
所述第一晶体管和所述第二晶体管为高耐压晶体管,
构成所述前级驱动器电路和所述第一开关电路的晶体管为低耐压晶体管。
6.如权利要求5所述的电路装置,其特征在于,
所述第一晶体管和所述第二晶体管为双扩散金属氧化物半导体结构的晶体管。
7.如权利要求6所述的电路装置,其特征在于,
包括第二开关电路,所述第二开关电路被设置在所述低电位侧电源的节点与所述第二晶体管的所述第二栅极节点之间,
在所述前级驱动器电路向所述第二晶体管的所述第二栅极节点输出高电平的所述第二驱动信号的期间内,所述控制电路将所述第二开关电路设为断开,
在所述前级驱动器电路使所述第二驱动信号由高电平变化到低电平时,所述控制电路将所述第二开关电路从断开设为导通。
8.如权利要求7所述的电路装置,其特征在于,
所述控制电路在从所述前级驱动器电路使所述第二驱动信号由高电平变化到低电平的时刻起经过了所给的期间后的时刻,将所述第二开关电路从断开设为导通。
9.如权利要求8所述的电路装置,其特征在于,
所述控制电路在与所述前级驱动器电路使所述第二驱动信号由低电平向高电平变化的时刻相比提前了所给的期间的时刻,将所述第二开关电路从导通设为断开。
10.如权利要求4所述的电路装置,其特征在于,
包括检测电路,所述检测电路对所述第一晶体管的所述第一栅极节点的电压电平的变化进行检测,
所述控制电路根据由所述检测电路检测到的检测结果,而生成使所述第一开关电路导通、断开的控制信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410106661.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。