[发明专利]一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法

权利要求书

1.一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法，其特征在于具体步骤为：向硅化钛/硅肖特基整流二极管中的硅化钛薄膜中引入适量氧原子,实现接触势垒调节。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述引入氧原子的方法有两种，它们分别是：

（1）在硅衬底上淀积金属钛膜后，通过离子注入或扩散方式将氧原子引入到金属钛膜中，再利用退火过程，使金属钛膜与衬底硅发生固相反应，在形成硅化钛/硅肖特基整流接触的同时，将氧原子掺入形成的硅化钛薄膜中；

（2）在硅衬底上淀积金属钛膜后，先利用退火过程使金属钛与衬底硅发生固相反应，生成硅化钛/硅肖特基整流接触，再利用离子注入或扩散工艺将氧原子引入到硅化钛薄膜中,并进行适当的后退火处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的热退火温度为500~1000^oC，时间为1秒~10分钟。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于最终生成的含有氧原子的硅化钛薄膜与衬底硅接触界面硅化钛薄膜一侧10纳米厚度内氧原子平均体浓度为10¹⁵-10²⁴ cm^-3。