[发明专利]一种IGBT模块电极安装结构在审
| 申请号: | 201410088594.6 | 申请日: | 2014-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN104916669A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
| 发明(设计)人: | 寇庆娟 | 申请(专利权)人: | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
| 地址: | 710016 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 igbt 模块 电极 安装 结构 | ||
1.一种IGBT模块电极安装结构,包括对应安装电极及顶盖,所述电极包括焊接部、与焊接部垂直设置的引出部以及用于连接所述焊接部和引出部的连接部,所述顶盖上开设有电极的折弯槽孔,其特征在于:所述电极和顶盖上设置有相互卡合的凸块结构和凸块卡槽。
2.根据权利要求1所述的IGBT模块电极安装结构,其特征在于:所述凸块结构和凸块卡槽分别设于电极的连接部上和顶盖内侧。
3.根据权利要求1所述的IGBT模块电极安装结构,其特征在于:所述凸块结构设置在电极的连接部上,所述凸块卡槽设置在顶盖内侧。
4.根据权利要求1所述的IGBT模块电极安装结构,其特征在于:所述凸块结构设置在顶盖内侧,所述凸块卡槽设置在电极的连接部上。
5.根据权利要求1所述的IGBT模块电极安装结构,其特征在于:所述顶盖为一个无底的罩盖,具有顶面和四个侧面。
6.根据权利要求3所述的IGBT模块电极安装结构,其特征在于:所述凸块结构位于所述连接部的侧面边缘且与所述电极的连接部和引出部处于同一平面内。
7.根据权利要求3所述的IGBT模块电极安装结构,其特征在于:所述凸块卡槽位于顶盖的第一侧壁内侧。
8.根据权利要求1所述的IGBT模块电极结构及其顶盖,其特征在于:所述凸块卡槽由两条平行的固定块组成,该两块固定块之间的距离与所述凸块结构的厚度吻合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安永电电气有限责任公司,未经西安永电电气有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410088594.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件及其制造方法
- 下一篇:图像传感器及制备方法、减少电学互扰的方法
- 同类专利
- 专利分类





