[发明专利]发光元件、发光元件阵列以及发光元件的制造方法有效
| 申请号: | 201410082015.7 | 申请日: | 2014-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN103928587B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
| 发明(设计)人: | 吴宗典;陈振彰;刘康弘;张钧傑;江明峰 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60;H01L27/15;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 阵列 以及 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种发光元件、发光元件阵列以及发光元件的制造方法,且特别是有关于一种可提高发光效率以及发光区的亮度均匀性的发光元件、发光元件阵列以及发光元件的制造方法。
背景技术
随着半导体科技的进步,现今的发光二极管已具备了高亮度的输出,再加上发光二极管具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点,因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来,发光二极管已朝高功率发展,因此其应用领域已扩展至道路照明、大型户外看板、交通号志灯及相关领域。如今,发光二极管已成为兼具省电及环保功能的主要照明光源以及常用的显示元件。
然而,就现有以发光二极管作为光源的发光元件的结构而言,较不易将发光二极管发出的光线收敛集中。因此,如何提高发光元件的发光效率以及发光区的亮度均匀性,已成为亟待解决的课题。
发明内容
本发明提供一种发光元件、发光元件阵列以及发光元件的制造方法,有助于提高发光效率以及发光区的亮度均匀性。
本发明提出一种发光元件,其包括透光基板、第一电极、第二电极、发光二极管晶片、反射杯(reflector)以及透光封装材料。第一电极配置于透光基板上。发光二极管晶片接触第一电极与第二电极。反射杯配置于透光基板上并罩覆发光二极管晶片与第一电极。透光封装材料填充于透光基板、反射杯与发光二极管晶片的侧壁之间。
本发明提出一种发光元件阵列,其包括透光基板、多个第一电极、多个第二电极、多个发光二极管晶片、多个反射杯以及多个透光封装材料。这些第一电极配置于透光基板上。各个发光二极管晶片接触一个第一电极与一个第二电极。这些反射杯配置于透光基板上并罩覆一个发光二极管晶片与一个第一电极。透光封装材料填充于基板、一个反射杯与一个发光二极管晶片的侧壁之间。
本发明提出一种发光元件的制造方法,其包括以下步骤。首先,在透光基板上形成第一电极。接着,在第一电极上配置发光二极管晶片。接着,在透光基板上填充透光封装材料并环绕发光二极管晶片的侧壁。之后,第二电极与一反射杯形成于发光二极管晶片上,其中第二电极接触发光二极管晶片,反射杯并罩覆发光二极管晶片、透光封装材料与第一电极。
本发明另提出一种发光元件,其包括透光基板、第一电极、第二电极、发光二极管晶片以及波长转换层。第一电极配置于透光基板上。发光二极管晶片配置于第一电极与第二电极之间并电性连接两者。波长转换层配置于第一电极与发光二极管晶片之间并电性连接两者,或配置于第二电极与发光二极管晶片之间并电性连接两者。
本发明另提出一种发光元件阵列,其包括透光基板、多个第一电极、多个第二电极、多个发光二极管晶片以及多的波长转换层。这些第一电极配置于透光基板上。这些发光二极管晶片分别配置于一个第一电极与一个第二电极之间并电性连接两者。波长转换层配置于一个第一电极与一个发光二极管晶片之间并电性连接两者,或配置于一个第二电极与一个发光二极管晶片之间并电性连接两者。
基于上述,本发明的发光元件利用反射杯的设计,可以让发光二极管晶片所发出的光线集中从透光基板射出,从而提高其发光效率。并且,电性连接于第一电极与发光二极管晶片之间的波长转换层,或电性连接于第二电极与发光二极管晶片之间的波长转换层,可将发光二极管晶片所发出的光线转换为面光源,进而提升发光区的亮度均匀性。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1D是本发明一实施例的发光元件的制造方法的剖面流程示意图;
图2A至图2D分别是图1A至图1D的俯视示意图;
图3A是本发明另一实施例的发光元件的剖面示意图;
图3B是图3A的发光元件的俯视示意图;
图4A是本发明另一实施例的发光元件的剖面示意图;
图4B是图4A的发光元件的俯视示意图;
图5A是本发明另一实施例的发光元件的剖面示意图;
图5B是图5A的发光元件的俯视示意图;
图6A是本发明另一实施例的发光元件的剖面示意图;
图6B是图6A的发光元件的俯视示意图;
图7A是本发明另一实施例的发光元件的剖面示意图;
图7B是图7A的波长转换层的微观示意图;
图8是本发明另一实施例的发光元件的剖面示意图;
图9是本发明另一实施例的发光元件的剖面示意图;
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