[发明专利]数据储存装置以及快闪存储器控制方法

说明书

技术领域

本发明是有关于数据储存装置，特别有关于快闪存储器(FLASH memory)控制方法。

背景技术

快闪存储器是一种常见的非挥发性存储器，采电性抹除与编程。以与非门型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例，常用作存储卡(memory card)、通用序列总线闪存装置(USB flash device)、固态硬盘(SSD)…等产品，或实现成一嵌入式快闪存储器模块(eMMC)。快闪存储器所提供的储存阵列是呈多个区块(blocks)。各区块包括多个页(pages)。若欲释放一区块为闲置区块(spare block)，整个区块的所有页都必须一同抹除(erase)。

关于数据安全(data security)，快闪存储器部分区块可配置为回放保护存储区块(replay-protected memory block，简称RPMB)，是以较高安全层级管理之。这些回放保护存储区块的数据管理尤为重要。

发明内容

本发明揭露一种数据储存装置以及一种快闪存储器控制方法。

根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置包括一控制器以及一快闪存储器。该快闪存储器的储存空间是划分为多个区块，各区块更划分为多个页。该控制器耦接该快闪存储器，以管理该快闪存储器的回放保护存储区块。控制器在将双页数据编程入上述回放保护存储区块后会将一成功旗标以及一写入计数载入该快闪存储器的系统区块。该控制器可基于上述系统区块所载的成功旗标或/以及上述回放保护存储区块的编程页数执行一掉电修复程序。

本发明另一种实施方式则揭露一种快闪存储器控制方法，用以管理一快闪存储器上的至少一回放保护存储区块。所述控制方法是在双页数据编程入上述回放保护存储区块后将一成功旗标以及一写入计数载入该快闪存储器的系统区块。根据所述控制方法，一掉电修复程序是基于上述系统区块所载的成功旗标或/以及上述回放保护存储区块的编程页数执行。

下文特举实施例，并配合所附附图，详细说明本发明内容。

附图说明

图1以方块图图解根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置100；

图2图解主机106所发下的回放保护数据是如何由控制器104编程至该快闪存储器102，其中是设定一变数N为2；

图3为流程图，说明所揭露的回放保护存储区块更新成功指标RPMB_Update_Success以及写入计数RPMB_Write_Count如何对应图2所示的回放保护数据编程而变化；以及

图4为流程图，对应图3图解一掉电修复程序。

【附图标记说明】

100～数据储存装置；

102～快闪存储器；

104～控制器；

106～主机；

202～回放保护数据(又称RPMB数据)；

204～虚置数据；

206、208～第一、第二帧下达的RPMB数据；

RPMB_1…RPMB_N～回放保护存储区块；

RPMB_FAT～文件配置表(FAT)区块；

RPMB_Partition～一空间，包括这些回放保护存储区块RPMB_1…RPMB_N；

RPMB_Write_Count～写入计数；

RPMB_Update_Sucess～回放保护存储区块更新成功指标；

S302…S308～步骤；

S402…S410～步骤；

SPO_1…SPO_5～第一…第五突发掉电事件。

具体实施方式

以下叙述列举本发明的多种实施例。以下叙述介绍本发明的基本概念，且并非意图限制本发明内容。实际发明范围应依照权利要求书界定之。

图1以方块图图解根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置100。数据储存装置100包括一快闪存储器(FLASH memory)102以及一控制器104。控制器104耦接快闪存储器102，且根据主机106所下达的指令操作该快闪存储器102。