[发明专利]晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 201410074458.1 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104889102A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 杨贵璞;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
1.一种晶圆清洗方法，利用兆声波发生器对晶圆表面进行清洗，其特征在于，包括：
旋转晶圆并使兆声波发生器在晶圆边缘与晶圆中心之间来回运动，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在晶圆表面停留的时间。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述兆声波发生器在晶圆表面停留的时间t与晶圆的半径R之间的关系为：t=k+m*R2，其中，k为常数，m为系数。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在改变兆声波发生器在晶圆表面停留的时间的同时改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布δ与晶圆的半径R之间的关系为：当兆声波发生器运动至晶圆中心时，即R=0时，兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布δ=δ1，δ1为常数，兆声波发生器的功率P=δ1*r2，r为兆声波发生器自身的半径值；当R≠0时，δ=N*P/R2，P为兆声波发生器运动至晶圆中心时，兆声波发生器的功率值，N为系数。
5.一种晶圆清洗方法，利用兆声波发生器对晶圆表面进行清洗，其特征在于，包括：旋转晶圆并使兆声波发生器从晶圆边缘向晶圆中心运动并过晶圆中心点，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在晶圆表面停留的时间。
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述兆声波发生器从晶圆边缘向晶圆中心运动并过晶圆中心点后到达晶圆另一边缘。
7.根据权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述兆声波发生器在晶圆表面停留的时间t与晶圆的半径R之间的关系为：t=k+m*R2，其中，k为常数，m为系数。
8.根据权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在改变兆声波发生器在晶圆表面停留的时间的同时改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布。
9.根据权利要求8所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布δ与晶圆的半径R之间的关系为：当兆声波发生器运动至晶圆中心时，即R=0时，兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布δ=δ1，δ1为常数，兆声波发生器的功率P=δ1*r2，r为兆声波发生器自身的半径值；当R≠0时，δ=N*P/R2，P为兆声波发生器运动至晶圆中心时，兆声波发生器的功率值，N为系数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛美半导体设备(上海)有限公司，未经盛美半导体设备(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410074458.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
