[发明专利]数据储存装置及其错误校正方法

说明书

本发明提供一种数据储存装置及其错误校正方法。数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。控制器用以根据一主机的一读取命令对快闪存储器中相应于一第一字符线的一第一页面进行一第一次读取动作，并且当第一次读取动作读取第一页面发生无法借由编解码进行修复的错误时，控制器更用以执行一校正电压分布程序，其中在校正电压分布程序中，控制器更用以对快闪存储器中相应于一第二字符线的一第二页面进行一校正读取动作。

技术领域

本发明关于一种存储器装置的错误校正方法；特别是关于一种校正电压分布的错误校正方法。

背景技术

快闪存储器为一种普遍的非挥发性数据储存装置，是以电性方式抹除与程序化。以与非门型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例，常用作存储卡(memory card)、通用序列总线闪存装置(USB flash device)、固态硬盘(SSD)、嵌入式快闪存储器模块(eMMC)…等使用。

快闪存储器(如，NAND FLASH)的储存阵列包括多个区块(blocks)。各区块包括多个页(pages)。由于快闪存储器的存取过程中可能会发生数据内容的错误，所以目前在存入数据时是将原始的数据进行编码后，再储存编码后的数据至快闪存储器中，而数据读取时则将编码的数据读出，再解码所读出的编码数据来得到原先的数据。编/解码操作虽然能够进行除错，然而仅只能更正部分的比特错误。而当发生超过一定程度以上的错误时，快闪存储器控制器在执行完解码操作后将发现无法对编码数据进行有效解码。

发明内容

本发明所提供的数据储存装置以及错误校正方法可借由校正电压分布程序对目标页面外的其它页面进行读取，以产生读取干扰效应，并借由读取干扰效应校正在读取过程中发生错误的目标页面的临界电压分布。另外，电压设定程序可对目标页面进行重复读取，以根据不同的读取电压读取目标页面的数据。

本发明提供一种数据储存装置。数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。控制器用以根据一主机的一读取命令对快闪存储器中相应于一第一字符线的一第一页面进行一第一次读取动作，并且当第一次读取动作读取第一页面发生无法借由编解码进行修复的错误时，控制器更用以执行一校正电压分布程序，其中在校正电压分布程序中，控制器更用以对快闪存储器中相应于一第二字符线的一第二页面进行一校正读取动作，并且校正读取动作是对第二页面进行读取一既定校正次数，以借由读取干扰效应校正第一页面的临界电压的分布。

另外，控制器更用以在校正电压分布程序执行完毕后，再对第一页面进行一第二次读取动作，并且判断相应于校正读取动作已执行的次数的一校正计数是否超过一第一既定值，以当校正计数超过第一既定值时，将第一页面标记为一损坏页面。

在本发明提供的另一实施例中，当第一次读取动作读取第一页面发生无法借由编解码进行修复的错误时，控制器更用以进行一电压设定程序，其中在电压设定程序中，控制器用以根据一重复读取表，对快闪存储器中的一寄存器进行一电压设定动作，以将寄存器中的数值，作为快闪存储器的读取电压。

另外，控制器更用以在电压设定程序执行完毕后，借由所设定的快闪存储器的读取电压对第一页面进行一第二次读取动作，并且判断相应于电压设定动作已执行的次数的一重复读取计数是否超过一第二既定值，以当重复读取计数超过第二既定值时，将第一页面标记为一损坏页面。在本发明的一实施例中，电压设定程序可在校正电压分布程序之后执行。在本发明的另一实施例中，电压设定程序可在校正电压分布程序之前执行。