[发明专利]有机电致发光器件及其封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及电致发光技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其封装方法。

背景技术

有机电致发光器件（Organic Light-Emitting Diode，OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。

然而，传统的OLED中容易被空气中的氧气和水汽侵蚀，导致OLED的稳定性较差，使用寿命较短。

发明内容

基于此，有必要提供一种使用寿命较长的有机电致发光器件及其封装方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，还包括设置在所述阴极上层叠设置的5～7个保护层，每个所述保护层包括无机阻挡层及层叠于所述无机阻挡层上的有机阻挡层，所述阴极和直接设置在所述阴极上的所述保护层的所述无机阻挡层直接接触；

所述无机阻挡层的材质为掺杂碘的二氧化钛、掺杂碘的二氧化锆或掺杂碘的二氧化铪；其中，碘为掺杂元素，碘的质量分数为5%～25%；

所述有机阻挡层的材质具有如下通式：

其中，X为硼或镓，R¹为氢原子或碳原子数为1～6的烷基，i为1～10的整数，m为5～15的整数，n为1～14的整数。

在其中一个实施例中，所述无机阻挡层的厚度为15nm～20nm。

在其中一个实施例中，所述有机阻挡层的厚度为200nm～300nm。

在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材质为掺杂三氧化钼的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，所述空穴注入层中三氧化钼的质量分数为20%～40%；

所述空穴传输层的材质为4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述发光层的材质为掺杂客体材料的主体材料，所述主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱，所述发光层中所述客体材料的质量分数为2%～8%；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；

所述电子注入层的材质为掺杂叠氮化铯的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子注入层中所述叠氮化铯的质量分数为20%～40%。

一种有机电致发光器件的封装方法，包括如下步骤：

步骤一：提供导电阳极基板；

步骤二：采用真空蒸镀法在所述导电阳极基板上依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；

步骤三：采用真空蒸镀法在所述电子注入层上形成阴极；

步骤四：采用原子层沉积法在所述阴极上形成无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂碘的二氧化钛、掺杂碘的二氧化锆或掺杂碘的二氧化铪；其中，碘为掺杂元素，碘的质量分数为5%～25%；

步骤五：采用磁控溅射法在所述无机阻挡层上形成有机阻挡层，所述有机阻挡层的材质具有如下通式：

其中，X为硼或镓，R¹为氢原子或碳原子数为1～6的烷基，i为1～10的整数，m为5～15的整数，n为1～14的整数，所述无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层；

步骤六：交替重复所述步骤四和所述步骤五4至6次，在所述阴极上形成5～7个保护层，得到有机电致发光器件。

在其中一个实施例中，所述步骤二中，采用真空蒸镀法形成所述空穴注入层时，真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸发速度为

采用真空蒸镀法形成所述空穴传输层时，真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸发速度为

采用真空蒸镀法形成所述发光层时，真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸发速度为