[发明专利]电子组件和电子设备有效
申请号: | 201410072283.0 | 申请日: | 2014-02-28 |
公开(公告)号: | CN104022131B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 桜木孝正;铃木隆典;都築幸司 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 组件 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及包含电子器件的电子组件(electronic component)的封装结构。
背景技术
诸如照相机的图像拾取系统中包含的图像拾取设备通常暴露于各种原因所产生的磁场。当这样的图像拾取设备中包含的图像拾取器件受该磁场影响时,在图像中产生噪声,并且图像质量会下降。
日本专利特开No.11-284163公开了一种配置,在该配置中,由在导体环路中产生的感应电流形成对应于外部磁场的反磁场,并且外部磁场被此反磁场抵消。日本专利特开No.2003-101042公开了一种光学半导体设备,其包括由金属材料(诸如铁-镍-钴合金或铁-镍合金)制成的金属框体。日本专利特开No.2008-245244公开了一种图像拾取元件封装,其包括支撑部件,由烧结陶瓷材料制成的主部分部件和由Kovar(科瓦合金)制成的附接部件接合到该支撑部件。
日本专利特开No.11-284163中所描述的基于感应电流的反磁场仅紧邻环路形成。因此,在包含对于实现高图像质量有利的大面积图像拾取部的图像拾取器件中,施加到图像拾取器件的磁场不能被充分减小。因此,本发明提供了一种电子组件,在该电子组件中诸如图像拾取器件的电子器件中产生的噪声被抑制。
发明内容
根据本发明的一个方面,电子组件包括电子器件,如下平面被定义为基准平面:该平面位于电子器件的前表面和后表面之间并且延伸通过电子器件的侧表面而没有延伸通过该前表面或后表面。该电子组件包括盖体,该盖体设置在基准平面的前表面侧并且在垂直于基准平面的方向上与电子器件重叠;基体,该基体设置在基准平面的后表面侧并且电子器件通过接合材料固定到该基体;铁磁体,该铁磁体设置在基准平面的前表面侧并且位于在垂直于基准平面的方向上与电子器件重叠的区域外部;以及导体,该导体被设置在基准平面的后表面侧并且在垂直于基准平面的方向上与电子器件重叠。
参照附图阅读示例性实施例的以下描述,本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出电子器件的示例的示意图。
图2A至2C是示出施加到电子组件的磁场的示意图。
图3是示出电子器件的示例的示意性平面图。
图4A和4B是示出电子组件的示例的示意性平面图。
图5A和5B是示出电子组件的示例的示意性截面图。
图6A和6B是示出电子组件的示例的示意性截面图。
图7是示出电子组件的示例的示意性分解透视图。
图8A至8D是示出电子组件的示例的示意图。
图9A和9B是示出电子组件的示例的示意图。
图10A和10B是示出电子组件的示例的示意图。
图11A和11B是示出电子组件的示例的示意图。
具体实施方式
现在将参照附图描述本发明的实施例。在附图中,相同的组件由相同附图标记指示,并且其描述将不对于每一附图给出。每个附图示出X、Y和Z方向。
首先,将描述根据该实施例的示意性结构。图1示出X-Y平面图和X-Z截面图,其示出电子组件100中包含的组件之间的位置关系。电子组件100包括电子器件10和铁磁体(ferromagnetic body)44。电子组件100可进一步包括基体(base body)20和盖体(lip body)30。电子组件100可进一步包括导体88,下文将详细描述导体88。关于基体20、盖体30和导体88,平面图中仅示出它们的轮廓。截面图中未示出基体20。下文将描述基体20的具体形状。
电子器件10包括具有主要功能的主部分(main portion)1。电子器件10是板状部件,其具有前表面101、后表面102和侧表面105。电子器件10固定到基体20。在图1的平面图中,仅示出基体20的轮廓。盖体30面对电子器件10。电子器件10的后表面102用作通过其它部件固定于基体20的固定表面。图1示出基准平面RP,该基准平面是位于前表面101和后表面102之间并且延伸通过侧表面105的假想平面。因此,基准平面RP没有延伸通过前表面101和后表面102。前表面101位于基准平面RP的一侧(前表面侧FS),并且后表面102位于基准平面RP的另一侧(后表面侧BS)。基准平面RP在X和Y方向上延伸,并且垂直于基准平面RP的方向是Z方向。在电子器件10是半导体器件的情况下,为了方便起见,基准平面RP可被设定为半导体层和绝缘层之间的界面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的