[发明专利]有机发光二极管装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光二极管装置的玻璃料(frit)密封技术，且特别是涉及具有以激光预烧结(pre-sinter)并以激光烧结密封的玻璃料密封结构的有机发光二极管装置。

背景技术

玻璃料(frit)密封技术用于将二基板之间的电子元件密封于一封闭空间中以防止水气和氧气的入侵，其主要利用激光直接加热涂布于一基板上已釉化的玻璃料胶体，使玻璃料胶体再熔融以密封该基板与另一基板(背板)并在之间形成一封闭空间。图1所示为根据现有技术的有机发光二极管装置的示意图。有机发光二极管装置包括设置有一有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)元件13的第一基板12、与第一基板12相对设置的第二基板10、设置于第一基板12以及第二基板10之间的玻璃料胶体11以及设置于第一基板12上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)元件14。玻璃料胶体11经由如图中箭头所示的激光进行激光烧结密封而与第一基板12以及第二基板10构成一封闭空间，且有机发光二极管元件13和薄膜晶体管元件14配置于此封闭空间中的基板12上。

在一现有玻璃料密封技术中，首先将玻璃料胶体涂布于素玻璃(bare glass)盖板上，并将盖板连同玻璃料胶体放进烤箱经例如500℃的高温釉化(glaze)玻璃料胶体，接着再将具有釉化玻璃料胶体的盖板与配置有例如有机发光显示元件等半导体元件的基板封合，然后利用激光烧结密封盖板与基板，使半导体元件密封于玻璃料、盖板与基板所构成的封闭空间中。然而此种玻璃料密封技术仅适用于盖板为素玻璃的情况，且利用烤箱釉化玻璃料胶体有升降温耗时、温度不均匀等问题产生。因此，在另一现有玻璃料密封技术中以激光部分加热玻璃料胶体来进行预烧结(pre-sinter)以釉化玻璃料胶体，由此取代以烤箱釉化的制作工艺，如此一来不但可节省制作工艺生产时间(tact time)也可应用至盖板上配置有受温度影响元件(例如彩色滤波阵列等)的密封制作工艺。

图2A所示为根据现有技术的激光预烧结操作的示意图。如图2A所示，封闭的玻璃料胶体200涂布于基板(盖板)20上，激光光束从激光起始/结束区210开始沿图中箭头所示的方向逆时针地对玻璃料胶体200进行预烧结，并在激光起始/结束区210结束激光光束对玻璃料胶体200的预烧结。图2B所示为根据现有技术的已激光预烧结的玻璃料胶体201的示意图，图2C为图2B的已激光预烧结的玻璃料胶体201的激光预烧结起始/结束区220的放大示意图。已激光预烧结的玻璃料胶体201的激光预烧结起始/结束区220对应至激光预烧结操作的激光起始/结束区210，如图2B与图2C所示，已激光预烧结的玻璃料胶体201的激光预烧结起始/结束区220会有一弧状缺口，导致在后续激光烧结密封操作中密封失败。因此，经激光预烧结以及激光烧结密封的玻璃料密封结构能否保持封闭为密封技术的关键。

发明内容

为解决上述问题，本发明一实施例提供一种有机发光二极管装置，包括：一第一基板，设置有一有机发光二极管元件；一第二基板，与该第一基板相对设置；以及一玻璃料胶体，设置于该第一基板与该第二基板之间，具有一激光预烧结起始/结束区，经激光烧结密封与该第一基板以及该第二基板构成一封闭空间，其中在该激光预烧结起始/结束区的至少一侧具有一缺口，该缺口的宽度不超过该玻璃料胶体的宽度的30％。

附图说明

图1所示为根据现有技术的有机发光二极管装置的示意图。

图2A所示为根据现有技术的有机发光二极管装置的激光预烧结操作的示意图。

图2B所示为根据现有技术的已激光预烧结的玻璃料胶体的示意图。

图2C所示为根据现有技术的已激光预烧结的玻璃料胶体的激光预烧结起始/结束区的放大示意图。

图3所示为根据本发明一实施例的有机发光二极管装置的激光预烧结操作的示意图。

图4A至4E所示为根据本发明实施例的掩模的示意图。

图5A与5B所示为根据本发明实施例的已激光预烧结的玻璃料胶体的激光预烧结起始/结束区的放大示意图。

图6所示为根据本发明一实施例的已激光烧结密封的玻璃料胶体的激光预烧结起始/结束区的放大示意图。

符号说明

10～第二基板；

11～玻璃料胶体；

12～第一基板；

13～有机发光二极管元件；

14～薄膜晶体管元件；

20、30～基板；

200、300～玻璃料胶体；