[发明专利]一种镀膜方法、镀膜装置和镀膜生成系统

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种镀膜方法、镀膜装置和镀膜生成系统。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器（Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）的制造过程中，化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition,简称CVD）是在待镀基板上形成薄膜晶体管（TFT）的重要工序之一，也就是我们俗称的镀膜。镀膜是通过镀膜设备（Process Chamber）在高温真空环境下利用高频电压使反应气体生成固态半导体，固态半导体沉积在待镀基板上从而形成沉积膜层。

如图1所示，镀膜在镀膜设备的腔室1内进行，通常将待镀基板2置于腔室1内的载台3上，然后从腔室的入口11充入反应气体，反应气体在腔室1内生成固态半导体，然后沉积在待镀基板2上形成沉积膜层。在腔室1内还设置有气体扩散器8（Diffuser），气体扩散器8主要是为了使反应气体在腔室1内扩散均匀，从而使沉积到待镀基板2上的沉积膜层厚薄均匀。

当镀膜设备在镀膜时，不仅会在待镀基板2上沉积一定厚度的膜层，而且会在气体扩散器8和腔室1内壁上沉积同样厚度的膜层。当腔室1内壁和气体扩散器8上沉积的膜层厚度足够厚时，在重力及腔室1内压力的作用下会导致腔室1内壁和气体扩散器8上的膜层脱落，脱落的膜层会形成大量的颗粒物（Particle），严重影响待镀基板2的镀膜质量，所以必须定期对腔室1内的沉积膜层进行清洁。对腔室1内沉积膜层的清洁通常是利用离子产生装置使三氟化氮气体反应生成氟离子，将氟离子通入到腔室1内与沉积膜层反应生成氟气、氮气等气体随管道排出。

对镀膜设备腔室的清洁有一定的清洁周期，清洁周期的设置由腔室内壁上沉积膜层的脱落极限厚度决定，即通常在腔室内壁上沉积膜层的厚度接近脱落极限厚度时进行清洁。目前腔室的清洁主要是根据脱落极限厚度计算出多少张待镀基板的沉积膜层厚度相加后的总厚度比较接近脱落极限厚度，从而将镀这么多张待镀基板的总时长设定为镀膜设备的清洁周期。该清洁周期的设定，首先需要人为地根据每张待镀基板所镀膜层的厚度计算出多少张同样膜厚的或不同膜厚的待镀基板镀完之后的沉积膜层总厚度比较接近脱落极限厚度，然后人为手动地设定待镀基板的总张数。

但是，由于工艺技术的不断改进和更新，尤其是在半导体成膜过程中，不同型号的待镀基板对应着不同的沉积膜层厚度，这就需要变换不同的清洁周期来适应不同的产品，人为变换起来相当麻烦。如果多种型号的待镀基板混杂在一起进行镀膜，难免出现产品型号与预先设定的清洁周期互相不匹配，由此会造成两个不良后果：一个是清洁周期偏短，导致腔室内壁上的沉积膜层厚度远小于脱落极限厚度就进行清洁，造成清洁气体的极大浪费；另一个是清洁周期偏长，导致腔室内壁上的沉积膜层厚度远大于脱落极限厚度，即腔室内壁上的沉积膜层已经脱落下来才进行清洁，造成镀膜过程中腔室内的颗粒物过多，这使镀膜后待镀基板上的颗粒物也会过多，直接影响产品良率。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种镀膜方法、镀膜装置和镀膜生成系统。该镀膜方法通过采集腔室内壁上的镀膜厚度数据；对镀膜厚度数据进行处理，以获取腔室内壁上的膜层的厚度，使得镀膜装置的清洁更加智能化，消除了现有技术中清洁需要人为控制的麻烦，从而提高了镀膜装置的清洁效率。

本发明提供一种镀膜方法，对置于镀膜腔室内载台上的待镀基板进行镀膜，所述方法包括：采集所述腔室内壁上的镀膜厚度数据；对所述镀膜厚度数据进行处理，以获取所述腔室内壁上的膜层的厚度。

优选地，所述腔室内环绕所述载台的内壁上设置有遮挡板，所述遮挡板上表面设置有采样块；所述采集所述腔室内壁上的镀膜厚度数据包括：采用光反射法采集所述遮挡板上表面的采样块的所述镀膜厚度数据，具体包括：光线照射到所述遮挡板上；采集从所述采样块上反射回来的光线；对反射光线进行分光并获取反射光谱；将所述反射光谱转换为模拟电信号。

优选地，所述对所述镀膜厚度数据进行处理，以获取所述腔室内壁上的膜层的厚度包括：将所述模拟电信号转换为数字电信号；根据所述数字电信号计算获得所述膜层的厚度。

本发明还提供一种镀膜装置，用于对待镀基板进行镀膜，所述镀膜装置包括腔室，所述腔室的底部设置有用于承载所述待镀基板的载台，所述镀膜装置还包括膜厚测量机构，所述膜厚测量机构包括测量单元和处理单元，所述测量单元与所述腔室相连，所述测量单元用于采集所述腔室内壁上的镀膜厚度数据，所述镀膜厚度数据传送至所述处理单元，并经所述处理单元处理以获取所述腔室内壁上膜层的厚度。