[发明专利]一种利用电场写入数据的四态磁存储单元

权利要求书

1.一种利用电场写入数据的四态磁存储单元，其包括：

第一电极层；

铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成于所述第一电极层上；

第二电极层，所述第二电极层形成于所述铁电氧化物层上；

磁性记录层，所述磁记录层形成于所述第二电极层上，所述磁性记录层的平面具有4重对称性，用于进行磁性记录，所述铁电氧化物层与磁性记录层之间具有磁电效应的耦合作用；以及

保护层，所述保护层设置于所述磁性记录层上，以保护所述磁性记录层；

所述磁性记录层在表面内的长轴方向与所述铁电氧化物层在电场作用下在表面内所产生的应变方向不重合；

所述4重对称性为4个对称花瓣形状；

所述磁性记录层由Ni基合金、Co基合金或Fe基合金制成。

2.根据权利要求1所述的四态磁存储单元，其特征在于：所述铁电氧化物层由Pb(Zr,Ti)O₃、PbZrO₃、Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃和Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃中的一种材料制成。

3.根据权利要求1或2所述的四态磁存储单元，其特征在于：所述铁电氧化物层的厚度不大于5微米；

所述磁性记录层的厚度不大于40纳米，

所述磁性记录层的长轴不大于200纳米。

4.根据权利要求1或2所述的四态磁存储单元，其特征在于：所述第一电极层和所述第二电极层均由下述材料中的一种或几种制成：Ti、Cu、Pt、Au、Ag、钌酸锶和镍酸镧。

5.根据权利要求1或2所述的四态磁存储单元，其特征在于：所述四态磁存储单元还包括设置于所述保护层上的润滑层。

6.一种具有四态磁存储单元的存储器，其包括：

多个权利要求1-5中任一项所述的四态磁存储单元；

多个用于对所述铁电氧化物层施加电压的写入电路及相应的选择电路和控制器；

用于读取磁存储信息的磁头。