[发明专利]接触窗配置装置及其接触窗配置方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种电子装置，且特别是有关于一种接触窗配置装置及其接触窗配置方法。

背景技术

现今半导体制程中，由于集成电路的密集度增加，造成元件之间的线距缩小，使得芯片表面无法提供足够的面积来制作所需的内连线(Interconnects)，为了配合金属氧化物半导体(MOS)晶体管缩小后所增加的内连线需求，接触窗的制作便逐渐地成为许多集成电路所必须采用的方式，其可用以电性导通不同层之间的导电层。

由于接触窗的位置误差容许度很小，若接触窗的选定位置太接近导电层的边缘亦或是接触窗的数量不够而造成不同层的导电层间的电阻过高，皆可能造成集成电路无法运作、而导致产品良率严重下降的情形发生。通过接触窗数目最大化可降低金属导线的接触电阻，而使其配置位置置中则可降低两层金属层与接触窗层在光刻(lithography)制程中光罩迭对的误差。

若由布局(layout)工程师以人工的方式填入接触窗数目，并将配置位置置中，不容易使所有接触窗配置到最佳的位置，且人工填入的方式旷日废时，因此由电脑程序取而代之有其必要性。

发明内容

本发明提供一种接触窗配置装置及其接触窗配置方法，可降低不同层的导电层间的电阻或避免接触窗位置太接近导电层边缘的情形发生，进而将接触窗配置到理想的位置。

本发明的接触窗配置方法，适于配置第一导线层与第二导线层所交迭形成的矩形区域上多个接触窗的位置，其中各接触窗具有相邻的第一边与第二边，矩形区域具有相邻的第一边界与第二边界，接触窗配置方法包括下列步骤。接收相邻的接触窗的第一边之间的第一预设距离以及第二边之间的第二预设距离。依据第一预设距离分别决定对应第一边界与第二边界的第一接触窗排列个数与第二接触窗排列个数，并依据第二预设距离分别决定对应第一边界与第二边界的第三接触窗排列个数与第四接触窗排列个数，其中第一接触窗排列个数与第四接触窗排列个数的乘积定义第一接触窗配置总数，第二接触窗排列个数与第三接触窗排列个数的乘积定义第二接触窗配置总数。比较第一接触窗配置总数与第二接触窗配置总数的数量。依据第一接触窗配置总数与第二接触窗配置总数的比较结果决定接触窗的配置总数。以矩形区域的水平中心线与垂直中心线为基准，对应所决定的接触窗配置总数的排列方式来配置接触窗。

本发明的接触窗配置装置，适于配置第一导线层与第二导线层所交迭形成的矩形区域上多个接触窗的位置，其中各接触窗具有相邻的第一边与第二边，矩形区域具有相邻的第一边界与第二边界，接触窗配置装置包括储存单元以及处理单元。储存单元储存相邻的接触窗的第一边之间的第一预设距离以及第二边之间的第二预设距离以及第一边界与第二边界的长度。处理单元耦接储存单元，执行配置模块，以依据第一预设距离分别决定对应第一边界与第二边界的第一接触窗排列个数与第二接触窗排列个数，并依据第二预设距离分别决定对应第一边界与第二边界的第三接触窗排列个数与第四接触窗排列个数，其中第一接触窗排列个数与第四接触窗排列个数的乘积定义第一接触窗配置总数，第二接触窗排列个数与第三接触窗排列个数的乘积定义第二接触窗配置总数，处理单元更比较第一接触窗配置总数与第二接触窗配置总数的数量，并依据第一接触窗配置总数与第二接触窗配置总数的比较结果决定接触窗的配置总数，并以矩形区域的水平中心线与垂直中心线为基准，对应所选择的接触窗配置总数的排列方式来配置接触窗。

基于上述，本发明的实施例藉由依据第一预设距离分别决定对应第一边界与第二边界的第一接触窗排列个数与第二接触窗排列个数，并依据第二预设距离分别决定对应第一边界与第二边界的第三接触窗排列个数与第四接触窗排列个数，其中第一接触窗排列个数与第四接触窗排列个数的乘积定义第一接触窗配置总数，第二接触窗排列个数与第三接触窗排列个数的乘积定义第二接触窗配置总数，选择对应接触窗配置个数较多的配置接触窗配置总数作为接触窗的配置总数，进而降低不同层的导电层间的电阻。此外并以矩形区域的水平中心线与垂直中心线为基准，对应所决定的接触窗配置总数的排列方式来配置接触窗，以避免接触窗的位置太接近导电层边缘的情形发生，进而将接触窗配置到理想的位置。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1绘示为本发明一实施例的接触窗配置装置的示意图。

图2A～图2H绘示为本发明实施例的接触窗的配置示意图。

图3绘示为本发明一实施例的接触窗配置方法的流程示意图。

图4绘示为本发明一实施例的决定第一接触窗排列个数的方法的流程示意图。