[发明专利]液晶显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及液晶显示器及其制造方法，更具体地讲，涉及具有包括在微腔中的液晶层（纳米晶体层）的液晶显示器及其制造方法。

背景技术

液晶显示器被广泛地用于平板显示装置并且包括在其上形成场产生电极（诸如像素电极和共电极）的两个显示面板以及插入在两个显示面板之间的液晶层。

液晶显示器通过将电压施加到场产生电极来在液晶层中产生电场，以改变液晶层的液晶分子的取向并且控制入射光的偏振，从而显示图像。

液晶显示装置的一种类型具有嵌入式微腔（EM）纳米晶体结构，并且这种类型的液晶显示装置通过以下步骤制造：利用光致抗蚀剂形成牺牲层，将支撑构件涂覆在牺牲层上之后去除牺牲层，并且将液晶填充在去除牺牲层而形成的空的空间中。

在这种情况下，共电极根据牺牲层形成有弯曲的结构以使共电极位于靠近底层的像素电极。因此，当去除牺牲层时，在像素电极和共电极之间可能存在使所述电极将产生短路的不充分的间隔。另外，即使没有产生短路，在可使电场畸变的对应部分上可能产生寄生电容。

发明内容

本公开的实施例提供了一种液晶显示器，所述液晶显示器在共电极和像素电极之间保持均匀的距离以防止与像素电极的短路并且防止电场畸变，并且提供一种该液晶显示器的制造方法。

根据本公开的示例性实施例的液晶显示器包括：微腔，形成在绝缘基底上并具有锥形侧壁；液晶层，位于微腔中；以及列部分，与微腔的锥形侧壁接触并且位于微腔之间。列部分包括第二列有机层和形成在第二列有机层外侧的第一列绝缘层，并且第一列绝缘层的侧表面与微腔的侧壁重合。

第一列绝缘层可以形成在第二列有机层的侧表面和下表面处。

所述液晶显示器可包括：像素电极，形成在绝缘基底上并位于微腔下面；以及共电极，覆盖液晶层和列部分。

所述列部分可以包括光致抗蚀剂、用于光阻挡构件的材料、无机材料或有机材料。

第一列绝缘层可以包括诸如氮化硅（SiN_x）、氧化硅（SiO_x）或氮氧化硅（SiO_xN_y）的无机绝缘材料。第二列有机层可以由光致抗蚀剂或有机材料形成。

共电极可以具有水平结构或阶梯结构，

还可以包括覆盖像素电极的第三钝化层。

还可以包括位于共电极上的覆盖共电极的支撑构件。所述支撑构件可以包括：下绝缘层，位于共电极上；顶部层，形成在下绝缘层上；以及上绝缘层，形成在所述顶部层上。

根据本公开的示例性实施例的液晶显示器的制造方法包括：形成覆盖像素电极并且具有锥形侧壁的牺牲层；在具有侧壁的牺牲层之间形成与牺牲层对应的列部分，形成列部分的步骤包括形成覆盖牺牲层之间的空间的第一列绝缘层材料以及形成覆盖第一列绝缘层材料的第二列有机层材料；形成液晶注入孔；通过液晶注入孔去除牺牲层以形成微腔；以及将液晶注入到微腔中。

所述方法可以包括蚀刻第一列绝缘层材料和第二列有机层材料以形成第一列绝缘层和第二列有机层。

可以执行第一列绝缘层材料和第二列有机层材料的蚀刻直到通过去除覆盖牺牲层的第一列绝缘层材料和第二列有机层材料而暴露牺牲层。

所述方法可包括使覆盖第一列绝缘层材料的第二列有机层材料曝光并显影以将第二列有机层材料维持在牺牲层之间的空间中；并且一起蚀刻位于牺牲层之间的第二列有机层材料和位于牺牲层上的第一列绝缘层材料以形成第一列绝缘层和第二列有机层。

可以执行蚀刻第二列有机层材料和第一列绝缘层材料的步骤直到通过去除牺牲层上的第一列绝缘层材料而暴露牺牲层，并且所形成的第二列有机层可以形成为高于牺牲层。

第一列绝缘层可以由诸如氮化硅（SiN_x）、氧化硅（SiO_x）或氮氧化硅（SiO_xN_y）的无机绝缘材料形成，第二列有机层可以由光致抗蚀剂或有机材料形成。

所述方法还可以包括：在绝缘基底上形成像素电极；，在牺牲层和列部分上形成共电极；以及在共电极上形成支撑构件。

所述方法还可以包括形成在像素电极和牺牲层之间覆盖像素电极的第三钝化层。

形成在牺牲层和列部分之间的共电极可以具有水平结构或与牺牲层和列部分的阶梯对应的阶梯结构。