[发明专利]发光显示背板、有机发光显示器及其制作方法有效
申请号: | 201410042653.6 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN103794634B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 路林;曹建伟 | 申请(专利权)人: | 青岛海信电器股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 266100 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示 背板 有机 显示器 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示器制作领域,尤其涉及一种发光显示背板、有机发光显示器及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED),因其具有自发光、快速响应、宽视角等特点,以OLED为基础的有机发光显示器成为显示领域的主流产品。
以OLED为基础的有机发光显示器包括发光显示背板和封装基板,发光显示背板和封装基板之间存在一定厚度的空隙,为了避免使用过程中封装基板和发光显示背板因受力不均而造成变形,在发光显示背板上一般设置有用于支撑与发光显示背板相对设置的封装基板的支撑物。
图1A和图1B为现有的有机发光显示器的构成示意图,图1A和图1B中发光显示背板一般包括TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列基板、位于阵列基板之上的若干个有机发光显示器件(诸如OLED)、以及设置在相邻有机发光显示器件之间的像素定义层(Pixel Define Layer,PDL);在像素定义层上设置有形状为上窄下宽的支撑物1,支撑物1上的接触层2一般与有机发光显示器件的靠近封装基板一侧的电极层3采用同一成膜工艺形成。由图1A和图1B可知,由于支撑物1为上窄下宽的结构,故接触层2和电极层3为一连续的整体,然而接触层2与封装基板接触,当受力不均时,容易造成接触层2发生磨损变形,此时接触层2和电极层3为一连续的整体,不可避免的会造成电极层3也会发生形变,发生形变的电极层3位于发光显示区域,故会影响正常的显示效果,降低了有机发光显示器的稳定性与可靠性。
发明内容
本发明的目的是提供一种发光显示背板、有机发光显示器及其制作方法,以使位于支撑物上的接触层发生磨损形变时,不影响位于显示区域的有机发光显示器件的电极层,因而电极层不会因接触层的形变而发生形变,从而提高有机发光显示器的稳定性和可靠性。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
一方面,提供一种发光显示背板,包括形成在阵列基板上的若干个有机发光显示器件,以及设置在相邻有机发光显示器件之间的像素定义层,还包括:形成在所述像素定义层之上,用于支撑与所述发光显示背板相对设置的封装基板的若干支撑物;其中,
所述支撑物包括支撑部;
所述支撑部在与所述阵列基板所在平面垂直方向上的切面呈倒梯形,所述倒梯形为上底长度大于下底长度,且下底与腰之间的夹角为钝角的梯形。
本发明实施例中提供的发光显示背板中的支撑物包括支撑部,并且支撑部在与阵列基板所在平面垂直方向上的切面呈倒梯形,该倒梯形为上底长度大于下底长度,且下底与腰之间的夹角为钝角的梯形,故在进行同一成膜工艺形成金属薄膜时,可使金属薄膜在支撑物的边缘处自动断开,分别形成有机发光显示器件的电极层以及位于支撑物上的接触层,进而使得接触层和有机发光显示器件的电极层为分立的结构,当接触层发生磨损形变时,不影响位于显示区域的有机发光显示器件的电极层,因而电极层不会因接触层的形变而发生形变,从而提高了有机发光显示器的稳定性和可靠性。
可选的,所述支撑物还包括上顶部,所述上顶部与所述支撑部一体成形,形成在所述支撑部之上,并与所述支撑部具有设定的接触面积,避免支撑物为锐角的棱角容易被破坏的缺陷。
可选的,所述上顶部与所述支撑部作为整体,在与所述阵列基板所在平面垂直方向上的切面呈所述倒梯形形状,简化制作工艺。
可选的,所述上顶部的形状为外凸的部分球体,所述球体在与所述阵列基板所在平面平行方向上的切面为圆形,所述圆形的直径与所述倒梯形的上底长度相等,使上顶部的角度为钝角,以避免支撑物的棱角破坏。
可选的,所述上顶部在与所述阵列基板所在平面垂直方向上的切面呈梯形,该梯形的下底边与腰的夹角为锐角,且长度小于所述倒梯形的上底边长度,能够在保证棱角为钝角的情况下,增大支撑物与封装基板的接触面积。
可选的,所述上顶部包括第一部分和第二部分,所述第二部分形成在所述第一部分之上,其中,
所述第一部分在与所述阵列基板所在平面垂直方向上的切面呈梯形,该梯形的下底边与腰的夹角为锐角,且长度小于所述倒梯形的上底边长度;
所述第二部分的形状为外凸的部分球体,所述球体在与所述阵列基板所在平面平行方向上的切面为圆形,所述圆形的直径与所述第一部分在与所述阵列基板所在平面垂直方向上的切面所呈的梯形的上底长度相等。
通过上述结构,进一步避免支撑物为锐角的棱角被破坏的缺陷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的