[发明专利]一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。

背景技术

液晶显示技术迅速发展，并成为目前工业界的新星和经济发展的亮点。在液晶显示蓬勃发展的同时，宽视角、高画质和较快的响应速度等成为液晶显示面板的迫切要求。目前，高级超维场转换（ADvanced Super Dimension Switch，ADSDS，简称ADS）型液晶显示技术因具有宽视角、高画质与较快的响应速度等特性，成为近几年研究的热点。

随着液晶显示面板的分辨率以及开口率的越来越高，导致ADS型阵列基板的像素间距（pixel pitch）越来越小，进而导致ADS型阵列基板的存储电容也越来越小，从而使ADS型阵列基板对液晶的驱动能力变弱。同时存储电容越小还会导致像素电压的保持率越低，进而会导致闪烁（Flicker）等不良现象的产生，极大地降低了ADS型阵列基板的品质。

现有的ADS型阵列基板如图1所示，包括：衬底基板1、薄膜晶体管2、以及依次位于薄膜晶体管2上方的树脂层3、像素电极4、绝缘层5和公共电极6；其中，薄膜晶体管2包括：依次设置于衬底基板1上的栅电极21、栅极绝缘层22、有源层23、以及同层设置的源电极24和漏电极25，像素电极4通过贯穿树脂层3的过孔与漏电极25电性连接。

目前，现有技术中增加ADS型阵列基板的存储电容的最简单的方法是减小像素电极和公共电极之间的距离，这种方法虽然能够增大ADS型阵列基板的存储电容，但是，公共电极与像素电极之间的距离减小，会导致像素电极与公共电极发生短路的几率增加。

因此，如何在不影响阵列基板开口率的同时提高阵列基板的存储电容，已成为业界亟需解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供的一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，用以解决现有技术中存在的阵列基板的存储电容较小，导致显示装置的显示品质较低的问题。

本发明实施例提供的一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，还包括：

位于所述薄膜晶体管上方的公共电极，以及与所述薄膜晶体管的漏电极电性连接的第一像素电极和第二像素电极；其中，

所述第一像素电极位于所述公共电极的下方且与所述公共电极相互绝缘，所述第二像素电极位于所述公共电极的上方且与所述公共电极相互绝缘。

本发明实施例提供的上述阵列基板，由于包括位于薄膜晶体管上方的公共电极，以及分别位于公共电极上方和下方的，且均与薄膜晶体管的漏电极电性连接的第一像素电极和第二像素电极，因此可以同时在第一像素电极与公共电极之间，以及在第二像素电极和公共电极之间形成存储电容；而现有技术中由于阵列基板中只有一个像素电极和一个公共电极，因此现有技术中只能在一个像素电极和公共电极之间形成存储电容。因此，本发明实施例提供的上述阵列基板与现有的阵列基板相比，可以增大阵列基板的存储电容，从而提高阵列基板的像素电压保持率、以及降低显示装置的闪烁等不良现象，进而提高显示装置的显示品质。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二像素电极通过所述第一像素电极与所述漏电极电性连接。

较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二像素电极直接与所述漏电极电性连接。

较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：

位于所述第二像素电极与所述公共电极之间的第一绝缘层；

位于所述公共电极与所述薄膜晶体管之间的第二绝缘层；

所述第二像素电极至少通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔与所述漏电极电性连接。

较佳地，为了简化制备工艺，节约制作成本，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一像素电极直接设置在所述漏电极的上层或下层，所述第一像素电极直接与所述漏电极电性连接。

较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一像素电极通过过孔与所述漏电极电性连接。

较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述薄膜晶体管为底栅型或顶栅型的薄膜晶体管。

较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一像素电极为平板状，所述第二像素电极为狭缝状。

本发明实施例提供的一种液晶显示面板，包括本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。