[发明专利]一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置有效
申请号: | 201410040298.9 | 申请日: | 2014-01-27 |
公开(公告)号: | CN103777418A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 崔贤植;金熙哲;林允植 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 液晶显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板,位于所述衬底基板上的薄膜晶体管,其中,所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极,其特征在于,还包括:
位于所述薄膜晶体管上方的公共电极,以及与所述薄膜晶体管的漏电极电性连接的第一像素电极和第二像素电极;其中,
所述第一像素电极位于所述公共电极的下方且与所述公共电极相互绝缘,所述第二像素电极位于所述公共电极的上方且与所述公共电极相互绝缘。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二像素电极通过所述第一像素电极与所述漏电极电性连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二像素电极直接与所述漏电极电性连接。
4.如权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
位于所述第二像素电极与所述公共电极之间的第一绝缘层;
位于所述公共电极与所述薄膜晶体管之间的第二绝缘层;
所述第二像素电极至少通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔与所述漏电极电性连接。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素电极直接设置在所述漏电极的上层或下层,所述第一像素电极直接与所述漏电极电性连接。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素电极通过过孔与所述漏电极电性连接。
7.如权利要求1-6任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管为底栅型或顶栅型的薄膜晶体管。
8.如权利要求1-6任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素电极为平板状,所述第二像素电极为狭缝状。
9.一种液晶显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的液晶显示面板。
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