[发明专利]溅射镀膜的方法

说明书

技术领域

本发明涉及镀膜技术领域，特别是涉及一种溅射镀膜的方法。

背景技术

目前工艺上常采用的镀膜方法一般为溅射镀膜。溅射镀膜的方法中，立式溅射镀膜工艺采用立式镀膜设备进行镀膜。立式镀膜设备的发展较为迅速，立式镀膜工艺成熟，性能稳定，性价比高。

然而，立式镀膜需要用夹具固定基板，使得产品的边缘效应明显，且产品破裂的风险较高。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够避免边缘效应和产品破裂风险的溅射镀膜的方法。

一种溅射镀膜的方法，包括如下步骤：

提供基板，将所述基板放置于定位托盘中；

将放置有基板的所述定位托盘传送入卧式溅射室中；以及

在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜。

在其中一个实施例中，所述将所述基板放置于定位托盘中的步骤之前还包括对所述基板进行清洗和干燥的步骤，所述清洗和干燥的步骤为：将所述基板依次用纯水和碱液清洗后，再依次进行二流体喷淋、纯水喷淋和高压喷淋，然后依次用冷风和热风干燥。

在其中一个实施例中，所述将放置有基板的所述定位托盘传送入卧式溅射室中的步骤是采用光电感应传送系统将放置有基板的所述定位托盘传送入卧式溅射室中。

在其中一个实施例中，所述将放置有基板的所述定位托盘传送入卧式溅射室中的步骤之前，还包括依次将放置有基板的所述定位托盘依次传送入第一过渡室和第一缓冲室的步骤。

在其中一个实施例中，所述在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜的步骤后，还包括依次将放置有基板的所述定位托盘从所述卧式溅射室中传送出来，并依次传送入第二缓冲室和第二过渡室的步骤。

在其中一个实施例中，所述卧式溅射室包括第一溅射腔室和第二溅射腔室，所述在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜的步骤中，依次在所述第一溅射腔室和第二溅射腔室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜。

在其中一个实施例中，所述在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜的步骤中，所述基板的温度为80℃～100℃。

在其中一个实施例中，所述在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜的步骤中，真空度为2.5*10^-1Pa～3.50*10^-3Pa。

在其中一个实施例中，所述在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜的步骤中，所述基板的运行速度为1.0m/min～1.4m/min。

在其中一个实施例中，所述在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜的步骤中，溅射电压为300V～380V。

上述溅射镀膜的方法将基板放置于定位托盘中，然后将定位托盘传送入卧式溅射镀膜系统中进行镀膜，这种卧式工艺中，基板直接放置于定位托盘中不会掉落，无需采用夹具固定基板，避免了边缘效应和产品破裂的风险，产品良率高。

附图说明

图1为一实施方式的溅射镀膜的方法的流程图；

图2为图1所示的溅射镀膜的方法的示意图；

图3为图2所示的卧式溅射镀膜系统的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

请参阅图1，一实施方式的溅射镀膜的方法，包括如下步骤S110、步骤S120和步骤S130。

步骤S110：提供基板，将基板放置于定位托盘中。

根据实际需求选择基板。基板可以为TFT（Thin-Film Transistor）基板、透明玻璃基板或柔性基板等。

将基板放置于的定位托盘中的步骤之前，还包括对基板进行清洗和干燥的步骤。清洗和干燥的步骤为：将基板依次用纯水和碱液清洗后，再依次进行二流体喷淋、纯水喷淋和高压喷淋，然后依次用冷风和热风干燥。

采用上述清洗步骤能够彻底基板表面的脏污和灰尘，避免脏污和灰尘对膜层产生不利影响。

其中，碱液为碱性洗涤剂，如洗衣粉溶液、洗洁精溶液等。