[发明专利]溅射镀膜的方法

权利要求书

1.一种溅射镀膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板，将所述基板放置于定位托盘中；

将放置有基板的所述定位托盘传送入卧式溅射室中；以及

在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜。

2.根据权利要求1所述的溅射镀膜的方法，其特征在于，所述将所述基板放置于定位托盘中的步骤之前还包括对所述基板进行清洗和干燥的步骤，所述清洗和干燥的步骤为：将所述基板依次用纯水和碱液清洗后，再依次进行二流体喷淋、纯水喷淋和高压喷淋，然后依次用冷风和热风干燥。

3.根据权利要求1所述的溅射镀膜的方法，其特征在于，所述将放置有基板的所述定位托盘传送入卧式溅射室中的步骤是采用光电感应传送系统将放置有基板的所述定位托盘传送入卧式溅射室中。

4.根据权利要求1所述的溅射镀膜的方法，其特征在于，所述将放置有基板的所述定位托盘传送入卧式溅射室中的步骤之前，还包括依次将放置有基板的所述定位托盘依次传送入第一过渡室和第一缓冲室的步骤。

5.根据权利要求1所述的溅射镀膜的方法，其特征在于，所述在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜的步骤后，还包括依次将放置有基板的所述定位托盘从所述卧式溅射室中传送出来，并依次传送入第二缓冲室和第二过渡室的步骤。

6.根据权利要求1所述的溅射镀膜的方法，其特征在于，所述卧式溅射室包括第一溅射腔室和第二溅射腔室，所述在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜的步骤中，依次在所述第一溅射腔室和第二溅射腔室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜。

7.根据权利要求1所述的溅射镀膜的方法，其特征在于，所述在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜的步骤中，所述基板的温度为80℃～100℃。

8.根据权利要求1所述的溅射镀膜的方法，其特征在于，所述在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜的步骤中，真空度为2.5*10^-1Pa～3.50*10^-3Pa。

9.根据权利要求1所述的溅射镀膜的方法，其特征在于，所述在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜的步骤中，所述基板的运行速度为1.0m/min～1.4m/min。

10.根据权利要求1所述的溅射镀膜的方法，其特征在于，所述在所述卧式溅射室中，采用磁控溅射在所述基板上镀膜的步骤中，溅射电压为300V～380V。