[发明专利]用于宽带宽谐振全局时钟分配的可变电阻开关有效
申请号: | 201410032145.X | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN103970052B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | T·J·布赛罗;A·J·德拉克;R·A·格罗韦斯;J·D·希伯勒;Y·I·金;方良得;W·R·雷奥尔;P·J·莱斯特尔;M·G·R·汤姆森 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G05B19/042 | 分类号: | G05B19/042 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 于静,张亚非 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 宽带 谐振 全局 时钟 分配 可变 电阻 开关 | ||
1.一种宽带宽谐振时钟分配装置,包括:
时钟网格,其被配置为将时钟信号分配给集成电路的多个组件;
至少一个电感器;
至少一个可调电阻开关;以及
电容器网络,
其中所述电感器、可调电阻开关和电容器网络连接在所述时钟网格与参考电压之间;
该时钟分配装置的特征在于,
可对所述至少一个可调电阻开关编程以便基于所述时钟信号的频率,动态地将所述至少一个电感器切换入或切换出所述时钟分配装置以实现至少一种谐振操作模式或非谐振操作模式。
2.根据权利要求1的时钟分配装置,其特征在于所述可调电阻开关包括多个并联的可单独选择的开关。
3.根据权利要求2的时钟分配装置,其特征在于每个给定的可单独选择的开关包括p沟道场效应晶体管PFET和n沟道场效应晶体管NFET,所述PFET和NFET的源极节点连接到给定电感器并且漏极节点连接到所述电容器网络,其中“或”门在第一输入端接收反相后的谐振模式信号,在第二输入端接收与该给定的可单独选择的开关对应的反相后的使能信号,并将输出提供给所述PFET的栅极,其中“与”门在第一输入端接收所述谐振模式信号,在第二输入端接收所述使能信号,并将输出提供给所述NFET的栅极。
4.根据权利要求2的时钟分配装置,其特征在于动态地将所述至少一个电感器切换入或切换出所述时钟分配包括按阶梯启用所述多个可单独选择的开关。
5.根据权利要求4的时钟分配装置,其特征在于所述阶梯是线性阶梯,其中每个阶梯大小相同。
6.根据权利要求4的时钟分配装置,其特征在于所述阶梯是几何阶梯,其中每个阶梯大小成比例地大于前一个阶梯大小。
7.根据权利要求3的时钟分配装置,其特征在于所述多个可单独选择的开关的第一子集与所述多个可单独选择的开关的第二子集具有不同的沟道宽度。
8.根据权利要求2的时钟分配装置,其特征在于使用电阻器/电容器延时对所述多个可单独选择的开关的选择进行自定时。
9.根据权利要求2的时钟分配装置,其特征在于所述多个可单独选择的开关中的每个开关包括多个可单独选择的晶体管指。
10.根据权利要求1的时钟分配装置,其特征在于所述至少一个电感器包括高频电感器和低频电感器,其中所述可调电阻开关包括在所述高频电感器与所述电容器网络之间并联的第一多个全通门,以及在所述低频电感器与所述电容器网络之间并联的第二多个全通门。
11.根据权利要求10的时钟分配装置,其特征在于可单独选择所述第一多个全通门中的每一个,并且其中可单独选择所述第二多个全通门中的每一个。
12.根据权利要求1的时钟分配装置,其特征在于所述至少一个电感器包括高频电感器和低频电感器,其中所述可调电阻开关包括在所述高频电感器与所述电容器网络之间并联的第一多个晶体管,以及在所述低频电感器与所述电容器网络之间并联的第二多个晶体管,其中可共同选择所述第一多个晶体管中的一个给定NFET和所述第二多个晶体管中的一个给定PFET以形成全通门。
13.根据权利要求12的时钟分配装置,其特征在于可共同选择所述第一多个晶体管中的一个给定PFET和所述第二多个晶体管中的一个给定NFET以形成全通门。
14.根据权利要求1的时钟分配装置,其特征在于所述可调电阻开关包括在所述至少一个电感器与所述电容器网络之间并联的第一多个可单独选择的晶体管,其中所述第一多个可单独选择的晶体管中的每一个由接收选自多个电压源的第一电压的电压缓冲器供电。
15.根据权利要求14的时钟分配装置,其特征在于所述可调电阻开关进一步包括在所述至少一个电感器与所述电容器网络之间并联的第二多个可单独选择的晶体管,其中所述第二多个可单独选择的晶体管中的每一个由接收选自所述多个电压源的第二电压的电压缓冲器供电。
16.根据权利要求15的时钟分配装置,其特征在于所述第二电压不同于所述第一电压。
17.根据权利要求15的时钟分配装置,其特征在于所述多个电压源之一是泵浦电源电压,其中所述泵浦电源电压包括由于电压转换而导致电压值大于所述集成电路的电源电压的电压。
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