[发明专利]晶片电阻器在审

专利信息
申请号: 201410020008.4 申请日: 2014-01-16
公开(公告)号: CN104795192A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 蔡东谋;陈财虎;萧胜利;刘永汉;何仁富 申请(专利权)人: 国巨股份有限公司
主分类号: H01C7/00 分类号: H01C7/00;H01C1/02;H01C1/14;H01C1/142
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王刚
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 晶片 电阻器
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种晶片电阻器,特别涉及一种抗硫化晶片电阻器。

背景技术

目前的表面粘着元件的厚膜、薄膜晶片电阻器,所述晶片电阻器通常包括电阻体(Resistor)、导体(Conductor)、玻璃(Glass)、绝缘保护层(Overcoat)及电镀端电极层(Electo-plated terminals)。一般而言,通常使用含银(Silver-containing)的材料当作导体材料,以与电阻材料电性连接及作为第一电极、第二电极或侧面电极(Side Conductor)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶片电阻器。

在一实施例中,本发明的晶片电阻器包括:一基材、两个第一电极、两个第二电极、一电阻层、至少一保护层及至少一镀层。该基材具有一第一表面及一第二表面,该第二表面与该第一表面相对。两个第一电极设置于该第一表面。两个第二电极设置于该第二表面。该电阻层设置于该第一表面,且覆盖部分两个第一电极。该至少一保护层设置于该电阻层上,且覆盖部分两个第一电极,该至少一保护层包括至少两个覆盖侧面及至少一覆盖平面。该至少一镀层覆盖所述至少两个覆盖侧面、至少一覆盖平面、部分两个第一电极及两个第二电极。

优选地,所述至少一保护层包括一第一保护层及一第二保护层,该第一保护层设置于该电阻层上,该第二保护层设置于该第一保护层上,该第二保护层包括至少两个覆盖侧面及至少一覆盖平面。

优选地,所述第二保护层还包括一显露平面,该显露平面至该第二保护层的一底部的厚度大于该至少一覆盖平面至该第二保护层的该底部的厚度。

优选地,所述至少一保护层包括一第一保护层及一第二保护层,该第一保护层设置于该电阻层上,该第一保护层包括至少一覆盖侧面及至少一覆盖平面,该第二保护层设置于该第一保护层上,该第二保护层包括至少一覆盖侧面。

优选地,所述第二保护层还包括一显露平面,该显露平面至该第一保护层的一底部的厚度大于该第一保护层的该至少一覆盖平面至该第一保护层的该底部的厚度。

优选地,所述至少一镀层包括一第一镀层、一第二镀层及一第三镀层,该第一镀层覆盖所述至少两个覆盖侧面、至少一覆盖平面、部分两个第一电极及两个第二电极,该第二镀层覆盖该第一镀层,该第三镀层覆盖该第二镀层。

本发明还提供另一种晶片电阻器。

在一实施例中,本发明的晶片电阻器包括:一基材、两个第一电极、两个第二电极、一电阻层、至少一保护层及至少一镀层。该基材具有一第一表面及一第二表面,该第二表面与该第一表面相对。两个第一电极设置于该第一表面。两个第二电极设置于该第二表面。该电阻层设置于该第一表面,且覆盖部分两个第一电极。该至少一保护层设置于该电阻层上,且完全地覆盖平面上其他的部分两个第一电极,该至少一保护层包括至少一覆盖侧面。该至少一镀层覆盖该至少一覆盖侧面、两个第一电极的侧面及两个第二电极。

优选地,所述至少一保护层包括一第一保护层及一第二保护层,该第一保护层设置于该电阻层上,该第二保护层设置于该第一保护层上,且完全地覆盖平面上其他的部分两个第一电极,该第二保护层包括至少一覆盖侧面及一显露平面。

优选地,所述至少一镀层包括一第一镀层、一第二镀层及一第三镀层,该第一镀层覆盖部分该显露平面、该至少一覆盖侧面、两个第一电极的侧面及两个第二电极的侧面及部分两个第二电极,该第二镀层覆盖该第一镀层,该第三镀层覆盖该第二镀层。

优选地,所述至少一保护层包括一第一保护层、一第二保护层及一第三保护层,该第一保护层设置于该电阻层上,该第二保护层设置于该第一保护层上,且完全地覆盖平面上其他的部分两个第一电极,该第二保护层包括至少一覆盖侧面及至少一覆盖平面,该第三保护层设置于该第二保护层上,该第三保护层包括至少一覆盖侧面。

优选地,所述至少一镀层包括一第一镀层、一第二镀层及一第三镀层,该第一镀层覆盖该第三保护层的该至少一覆盖侧面、该第二保护层的该至少一覆盖平面及该至少一覆盖侧面、两个第一电极的侧面及两个第二电极,该第二镀层覆盖该第一镀层,该第三镀层覆盖该第二镀层。

优选地,所述第三保护层还包括一显露平面,该显露平面至该第二保护层的一底部的厚度大于该第二保护层的该至少一覆盖平面至该第二保护层的该底部的厚度。

本发明的有益效果在于:本发明的晶片电阻器利用两个覆盖侧面及该覆盖平面,以延长两个第一电极与外界的距离,使得空气中传播的硫、硫化物及含硫化合物难以进入与两个第一电极反应。故本发明的晶片电阻器可抵抗硫、硫化物及含硫化合物或卤素等有害物质对于电极的腐蚀。

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