[发明专利]去嵌入的测试方法

权利要求书

1.一种去嵌入的测试方法，其特征在于，包括：

提供一去嵌入的测试结构，所述去嵌入的测试结构包括相互独立的整体结构、开路结构和短路结构，所述整体结构具有一待测器件，所述开路结构和短路结构均在所述整体结构的基础上去除了所述待测器件；

分别测试所述整体结构、开路结构和短路结构，得到所述整体结构、开路结构和短路结构的散射参数值；

分别测量所述整体结构和短路结构中的导线长度；

根据测得的导线长度和所述整体结构、开路结构和短路结构的散射参数值进行去嵌计算，得到所述待测器件本身的测试结果。

2.如权利要求1所述的去嵌入的测试方法，其特征在于，所述整体结构、开路结构和短路结构均包含依次排列的第一对接地焊垫、第一对信号焊垫和第二对接地焊垫；

所述整体结构的待测器件具有一接地端和两个信号端，所述接地端分别通过两条第一导线与所述整体结构的第一对接地焊垫连接，所述两个信号端分别通过两条第二导线与所述整体结构的第一对信号焊垫连接；

所述短路结构的第一对接地焊垫分别与两条第三导线连接，所述短路结构的第一对信号焊垫分别与两条第四导线连接，两条第三导线分别与两条第四导线连接。

3.如权利要求2所述的去嵌入的测试方法，其特征在于，分别测量所述整体结构和短路结构中的导线长度的方法包括：

测量所述整体结构的第一对接地焊垫所连接的第一导线的长度；

测量所述整体结构的第一对信号焊垫所连接的第二导线的长度；

测量所述短路结构的第一对接地焊垫所连接的第三导线的长度；

测量所述短路结构的第一对信号焊垫所连接的第四导线的长度。

4.如权利要求1所述的去嵌入的测试方法，其特征在于，所述去嵌计算包括以下步骤：

步骤一：分别将所述整体结构、开路结构和短路结构的散射参数值转化为所述整体结构、开路结构和短路结构的导纳参数值;

步骤二：将所述整体结构的导纳参数值减去所述开路结构的导纳参数值，得到所述整体结构利用所述开路结构去嵌后的导纳参数值，将所述整体结构利用所述开路结构去嵌后的导纳参数值转化为所述整体结构利用所述开路结构去嵌后的阻抗参数值；将所述短路结构的导纳参数值减去所述开路结构的导纳参数值，得到所述短路结构利用所述开路结构去嵌后的导纳参数值，将所述短路结构利用所述开路结构去嵌后的导纳参数值转化为所述短路结构利用所述开路结构去嵌后的阻抗参数值；

步骤三：根据测得的导线长度和所述短路结构利用所述开路结构去嵌后的阻抗参数值计算短路仿真结构的阻抗参数值；

步骤四：将所述整体结构利用所述开路结构去嵌后的阻抗参数值减去所述短路仿真结构的阻抗参数值，得到所述待测器件的阻抗参数值。

5.如权利要求4所述的去嵌入的测试方法，其特征在于，步骤三中所述短路仿真结构的阻抗参数值的4个分量分别是第一分量Z_sht.11、第二分量Z_sht.12、第三分量Z_sht.21和第四分量Z_sht.22，所述第一分量Z_sht.11、第二分量Z_sht.12、第三分量Z_sht.21和第四分量Z_sht.22的计算公式分别为：

Z_sht.11=（Z_demshort.11－Z_demshort.12）×（C÷D）＋Z_demshort.12×（A÷B）；

Z_sht.12=Z_demshort.12×（A÷B）；

Z_sht.21=Z_demshort.21×（A÷B）；

Z_sht.22=（Z_demshort.22－Z_demshort.21）×（C÷D）＋Z_demshort.12×（A÷B）。

其中，所述Z_demshort为所述短路结构利用所述开路结构去嵌后的阻抗参数值，A为所述整体结构的第一对接地焊垫所连接的第一导线的长度；C为所述整体结构的第一对信号焊垫所连接的第二导线的长度；B为所述短路结构的第一对接地焊垫所连接的第三导线的长度；D为所述短路结构的第一对信号焊垫所连接的第四导线的长度。