[发明专利]一种HIT电池前清洗的方法无效
| 申请号： | 201410011583.8 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103903960A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨金波 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/20 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 hit 电池 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种HIT电池前清洗的方法，其特征在于：依次包括如下步骤：
（1）在50～100℃的碱性药液中超声5～10min，然后浸渍10～15min，去除硅片表面损伤，所述碱性药液为5%～15%氢氧化钠、0.1%～10%添加剂Ⅰ和水的混合液；
（2）水洗1～5min；
（3）在酸性药液Ⅰ中浸渍1～5min，去除硅片表面金属杂质，所述酸性药液Ⅰ为1%～10%HCl、1%～20%添加剂Ⅱ和水的混合液；
（4）水洗1～5min；
（5）在氢氟酸溶液中浸渍1～5min，硅片脱水并表面钝化；
（6）水洗1～5min；
（7）在酸性药液Ⅱ中浸渍1～5min，降低硅片表面的反射率，所述酸性药液Ⅱ为5%～20%HF、40%～60%硝酸和水的混合液；
（8）水洗1～5min；
（9）在酸性药液Ⅰ中浸渍1～5min；
（10）水洗1～5min；
（11）在氢氟酸溶液中浸渍1～5min；
（12）水洗1～5min。
2.根据权利要求1所述的一种HIT电池前清洗的方法，其特征在于：步骤（1）中所述添加剂Ⅰ为月桂酸二乙醇酰胺。
3.根据权利要求1所述的一种HIT电池前清洗的方法，其特征在于：步骤（1）中超声的功率为50～800W。
4.根据权利要求1所述的一种HIT电池前清洗的方法，其特征在于：步骤（3）中所述添加剂Ⅱ为四乙酰乙二胺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
