[发明专利]场效应管的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术，尤其涉及一种场效应管的制造方法。

背景技术

场效应管是一种通过电压来控制电流的半导体器件，按照结构不同可以分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。其中结型场效应管中的平面场效应管通常采用浅平面结的结构，典型的结深度为4-7微米。由于平面场效应管的结深度较浅，其击穿电压比理想中的平面结的结构低50%，因此，需要对平面场效应管进行终端保护，以提高其耐压能力。

在平面场效应管的有源区的边缘，杂质原子扩散形成柱面结或球面结，使得有源区的表面电场存在曲率效应，电场线围绕有源区表面呈弧形，因此，容易在有源区外围发生击穿。为了提高平面场效应管的击穿电压，通常采用终端环和截止环技术，在有源区外围设置终端环，将有源区的表面电场向外延伸，并在终端环的外围设置截止环，将表面电场截止在截止环内侧，终端环的质量对于平面场效应管的耐压能力有着很大的影响。

图1为现有的场效应管制造方法形成的截止环和终端环的结构示意图，图2为图1的俯视图。如图1和图2所示，通常，平面场效应管的制造过程为：首先在衬底1上依次形成外延层2和初始氧化层3，然后在初始氧化层3上形成有源区4，之后在初始氧化层3表面和有源区内部涂覆一层光刻胶，采用光刻、刻蚀及注入杂质的步骤形成截止环区域6，并去除光刻胶形成截止环。接着在初始氧化层3的表面以及有源区4和截止环区域6中再涂覆一层光刻胶，采用光刻、刻蚀及注入杂质的步骤形成终端环区域8，并去除光刻胶形成终端环。

而在截止环的形成过程中，由于截止环的刻开区较小，而注入的杂质剂量较大，将截止环周围的光刻胶碳化，使得光刻胶去除不彻底。在后续形成终端环的过程中，由于终端环侧壁上的初始氧化层被残留的光刻胶遮挡，会在终端环侧壁上出现毛刺等结构，对于平面场效应管的耐压能力有很大的负面影响。

发明内容

本发明提供一种场效应管的制造方法，用于解决现有的制造方法使得平面场效应管的耐压能力较差的问题，以提高平面场效应管的耐压能力。

本发明实施例提供一种场效应管的制造方法，包括：

在形成有源区的初始氧化层表面涂覆第一光刻胶，形成第一胶层；

在所述第一胶层上形成截止环；

对所述第一胶层进行第一次干法去除；

间隔设定时间后，再对所述第一胶层进行第二次干法去除；

在所述初始氧化层上形成终端环。

如上所述的场效应管的制造方法，所述设定时间为大于20分钟。

如上所述的场效应管的制造方法，所述设定时间为30分钟。

如上所述的场效应管的制造方法，在所述在间隔设定时间后，再对所述第一胶层进行第二次干法去除之后，还包括：

间隔所述设定时间后，再对所述第一胶层进行第三次干法去除。

如上所述的场效应管的制造方法，在所述间隔设定时间后，再对所述第一胶层进行第二次干法去除之后，还包括：

对所述第一胶层进行湿法去除和清洗。

如上所述的场效应管的制造方法，所述第一次干法去除包括：采用等离子体进行干法去除；所述第二次干法去除包括：采用等离子体进行干法去除。

如上所述的场效应管的制造方法，所述在形成有有源区的初始氧化层表面涂覆第一光刻胶之前，还包括：

在衬底上依次形成外延层和初始氧化层；

在所述初始氧化层上形成有源区。

如上所述的场效应管的制造方法，所述在所述第一胶层上形成截止环，包括：

对所述第一胶层进行光刻和刻蚀处理，形成截止环区域；

在所述截止环区域中注入第一杂质，形成截止环。

如上所述的场效应管的制造方法，所述在所述初始氧化层上形成终端环，包括：

在所述初始氧化层的表面涂覆第二光刻胶，形成第二胶层；

对所述第二胶层进行光刻和刻蚀处理，形成终端环区域；

在所述终端环区域中注入第二杂质，形成终端环。

如上所述的场效应管的制造方法，所述第一杂质为N型杂质；所述第二杂质为P型杂质。