[发明专利]波形辊压焊带及其加工装置在审
申请号: | 201410002352.0 | 申请日: | 2014-01-03 |
公开(公告)号: | CN104766900A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 裴学锋;冷青松 | 申请(专利权)人: | 江苏太阳光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 董旭东 |
地址: | 212218 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波形 辊压焊带 及其 加工 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池的生产材料,特别涉及一种用作互联条的焊带及其生产装置。
背景技术
太阳能组件要实现发电的功能必须将单片的电池连接起来使之形成一个整体,对于晶硅电池常用的连接方式是焊接。电池片在焊接过程中若是控制不当会造成一定的缺陷,这些缺陷在使用过程中有可能造成热斑,有时会严重影响组件的寿命甚至烧毁组件。
焊接过程中最容易出现的缺陷为明显裂纹或者需要借助工具才可以看见的隐形裂纹。造成这种缺陷的因素主要是由于硅材料,银浆和焊带的热应力不匹配造成的。由于焊接过程中要经过瞬间冷却,温度从250℃左后迅速降到室温,急剧的温度变化会在焊带与电池片之间产生很大的应力,焊接结束后由于这种应力的作用会造成电池片的弓形,这种弓形在敷设、层压及以后的使用过程中很有可能发展成隐裂或者碎片。
电池片的弓形一般发生在冷却的过程中,这主要是因为焊接过程中,钎料融化后要迅速冷却到室温以保证良好的焊接拉力,冷却速度可高达200~300℃/s,由于材料热膨胀系数的差异,必然导致热应力的存在,因此在焊后会出现弓形。
软焊带由于其特殊的基材处理工艺,可以从一定程度上明显降低这种弓形,进而降低组件的碎片率,通过实际焊接发现超软焊带能够降低这种翘曲1~2mm。软焊带主要是从材料配方角度着手,使焊带变软,伸长率变大,其在使用过程中,主要是通过适应性变化,减少脱焊的可能性,但其不能阻止焊接时,电池片的变形。
发明内容
本发明的目的是提供一种波形辊压焊带及其加工装置,在焊接时可减小电池片的变形。
本发明的目的是这样实现的:一种波形辊压焊带,在涂锡前在铜带的一侧表面辊压有若干微齿。
作为本发明的进一步改进,所述微齿的齿高为铜带厚度的1/8~1/10,齿距为铜带厚度的1~1.5倍。
该铜带浸锡后使用,在设有微齿的一面堆积的锡较多,锡与铜的接触面大,涂锡牢度大,由于铜的热胀系数为17.5,锡的热胀系数为2.0,在焊接时,微齿一侧作为焊接面,铜带降温收缩时,其可对抗太阳能电池的翘曲,尽管其内应力有所增大,但并不足以将电池片拉断或拉裂,保证了电池片的平整度,为后续的堆叠提供了便利,减少了电池片的压裂的可能性。
本发明还公开了用于加工上述波形辊压焊带的加工装置,包括相平行设置的上刀轴和下刀轴,上刀轴上平行设置有若干上刀盘,下刀轴上平行设置有若干下刀盘,所述上刀盘和下刀盘穿插在一起,相邻上刀盘之间设有齿辊,相邻下刀盘之间设有光辊,所述光辊和齿辊相耦合设置。
铜带经过该装置时,一方面上刀盘和下刀盘将铜带分切成多根,另一方面齿辊在铜带上压出微齿,同时,齿辊还起到同步牵引的作用,驱动铜带前进。其结构简单、加工方便。
附图说明
图1为波形辊压焊带结构示意图。
图2为波形辊压焊带的加工装置结构示意图。
图3为图2中加工装置的工作原理图。
其中,1上刀盘,2上刀轴,3下刀轴,4下刀盘,5齿辊,6铜带,6a微齿,7光辊。
具体实施方式
实施例1
如图1所示,为一种波形辊压焊带,在涂锡前在铜带6的一侧表面辊压有若干微齿6a,微齿6a的齿高为铜带厚度的1/8~1/10,齿距为铜带厚度的1~1.5倍。
该铜带浸锡后使用,在设有微齿的一面堆积的锡较多,锡与铜的接触面大,涂锡牢度大,由于铜的热胀系数为17.5,锡的热胀系数为2.0,在焊接时,微齿一侧作为焊接面,铜带降温收缩时,铜和锡的收缩率不一致,其可对抗太阳能电池的翘曲,尽管其内应力有所增大,但并不足以将电池片拉断或拉裂,保证了电池片的平整度,为后续的堆叠提供了便利,减少了电池片的压裂的可能性。
实施例2
如图2和3所示,为波形辊压焊带的加工装置,包括相平行设置的上刀轴2和下刀轴3,上刀轴2上平行设置有若干上刀盘1,下刀轴3上平行设置有若干下刀盘4,上刀盘1和下刀盘4穿插在一起,可将带材分切成若干铜带,相邻上刀盘1之间设有齿辊5,相邻下刀盘4之间设有光辊7,光辊7和齿辊5相耦合设置。
铜带经过该装置时,一方面上刀盘1和下刀盘2将铜带分切成多根,另一方面齿辊在铜带上压出微齿6a,同时,齿辊5还起到同步牵引的作用,驱动铜带前进。
本发明并不局限于上述实施例,在本发明公开的技术方案的基础上,本领域的技术人员根据所公开的技术内容,不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形,这些替换和变形均在本发明的保护范围内。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的