[发明专利]具有形成于其上的存储器的打印头有效

专利信息
申请号: 201380080582.2 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN105705337B 公开(公告)日: 2017-11-17
发明(设计)人: 杨建华;葛宁;李智勇 申请(专利权)人: 惠普发展公司;有限责任合伙企业
主分类号: B41J2/045 分类号: B41J2/045;B41J2/14
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 张立达,王英
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 形成 存储器 打印头
【权利要求书】:

1.一种打印装置,包括:

打印头主体,其包括第一金属层;以及

存储器,其形成在所述打印头主体上,所述存储器包括作为第一电极的所述第一金属层、作为第二电极的第二金属层、以及在所述第一金属层和所述第二金属层之间的切换氧化物层,

其中,所述打印头主体还包括掺杂衬底层、栅极氧化物层、以及多晶硅层,所述栅极氧化物层位于所述掺杂衬底层和所述多晶硅层之间。

2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述打印头主体还包括在所述掺杂衬底层和和所述第一金属层之间的电介质层。

3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述打印头主体还包括第三金属层,所述电介质层位于所述掺杂衬底层和所述第三金属层之间。

4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述第三金属层包括热喷墨电阻器层。

5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述热喷墨电阻器层包括一个或多个层。

6.一种打印装置,包括:

成像设备;

打印头主体,用于与所述成像设备一起使用,所述打印头主体包括:

第一金属层,在所述打印头主体上;以及

存储器,在所述第一金属层上,所述存储器包括切换氧化物层、所述第一金属层、以及第二金属层,所述第一金属层提供第一电极,所述第二金属层提供第二电极,

其中,所述打印头主体还包括掺杂衬底层、栅极氧化物层、以及多晶硅层,所述栅极氧化物层位于所述掺杂衬底层和所述多晶硅层之间。

7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述打印头主体可移动地耦合到所述成像设备。

8.根据权利要求6所述的装置,其中,所述成像设备包括打印机或复印机。

9.根据权利要求6所述的装置,其中,所述打印头主体整体地耦合到所述成像设备。

10.根据权利要求6所述的装置,其中,所述存储器包括忆阻器。

11.一种用于形成打印装置的方法,包括:

制造包括第一金属层的打印头主体,所述打印头主体还包括掺杂衬底层、栅极氧化物层、以及多晶硅层,所述栅极氧化物层位于所述掺杂衬底层和所述多晶硅层之间;

通过在所述第一金属层上形成切换氧化物层以及在所述切换氧化物层上形成第二金属层来整体地形成具有所述打印头主体的存储器,其中,所述第一金属层包括所述存储器的第一电极,并且所述第二金属层包括所述存储器的第二电极。

12.根据权利要求11所述的方法,其中,形成所述氧化物层包括对所述第一金属层的一部分进行氧化。

13.根据权利要求11所述的方法,其中,形成所述氧化物层包括在所述第一金属层上沉积或溅射所述氧化物层。

14.根据权利要求11所述的方法,其中,整体地形成所述存储器包括蚀刻所述氧化物层、所述切换氧化物层、以及所述第二金属层。

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