[发明专利]氮化铝烧结颗粒的制造方法有效
申请号: | 201380072246.3 | 申请日: | 2013-02-04 |
公开(公告)号: | CN104968601B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 福永豊;金近幸博 | 申请(专利权)人: | 德山株式会社 |
主分类号: | C01B21/072 | 分类号: | C01B21/072 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张福根,邹宗亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 烧结 颗粒 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是关于氮化铝烧结颗粒及其制造方法,特别是关于提供简便地制造高导热性及对树脂等充填性优异、平均粒径10~200μm、可用于散热性的树脂或散热膏、接着剂、涂料等的散热材料用填充物的方法。
背景技术
氮化铝具有高导热性与优异的电绝缘性,被用于高导热性基板、散热构件、绝缘散热用填充物等。近年来,搭载于以笔记本电脑、信息终端设备(information terminal)等为代表的高性能电子机器的集成电路(IC)、中央处理单元(CPU)等的半导体电子零组件持续进行小型化、高积集化等,伴随而来的是散热构件也必须进行小型化。用于上述零组件的散热构件,举例为:在树脂、橡胶等的基质填充高导热性填充物的散热片、薄膜状间隔物等(专利文献1);在聚硅氧油(silicone oil)填充高导热性填充物使具流动性的散热膏(thermal grease)(专利文献2);在环氧树脂填充高导热性填充物的散热性接着剂(专利文献3)等。另外,可使用氮化铝、氮化硼、氧化铝、氧化镁、氧化硅、石墨、各种金属粉末等作为高导热性填充物。
而为了提升散热材料的导热率,高度充填具有高导热性的填充物是重要的一环,因此较好是球状的数微米至数十微米的氮化铝粒子构成的氮化铝粉末。然而,以一般方法制造的氮化铝粉末多是次微米尺度的粒子,难以取得数十微米程度的大粒径的氮化铝粒子。
作为使氮化铝粉末球状化的方法,如以下的方法已被揭露。
例如:揭露于专利文献4的是藉由球状氧化铝粒子的还原氮化而制造球状氮化铝粒子的方法;另外,揭露于专利文献5的方法是在氮化铝粉末加入助烧结剂、结合剂及溶剂而喷雾干燥,而对取得的球状造粒粉作烧结;还有以下的方法也被揭露,在碱土族元素、稀土类元素的氧化物或氮化物、会藉由加热分解而形成上述物质的盐类、氢氧化物、卤化物、烷氧化物(alkoxide)等的前驱物构成的助溶剂中作热处理或对预先添加助溶剂而合成的氮化铝系的组成物作直接热处理而使其球状化后,溶解助溶剂而单离氮化铝粉末(非专利文献1)。
然而,专利文献4的方法随着变成氮化铝的转化率的上升,在粒子内产生空洞,而难以获得真球状的产物。又,即使获得近似真球状的产物,仍有由于上述空洞使粒子的压坏强度小、充填于树脂时容易起泡等的问题。另一方面,揭露于专利文献5的方法,由于是对在氮化铝添加助烧结剂的球状造粒体作烧结,可获得无空洞、压坏强度高的粒子。然而,藉由使用氮化铝粉末作为原料,不仅仅是原料价格高昂,还有藉由烧结而使粒子彼此容易结合的问题。另外,揭露于非专利文献1的方法,原料价格高昂的同时,且步骤复杂,在工业实施方面不利。
先行技术文献
专利文献
专利文献1:特开2005-146214号公报
专利文献2:特开平6-209057号公报
专利文献3:特开平6-17024号公报
专利文献4:特开平4-74705号公报
专利文献5:特开平3-295853号公报
非专利文献
非专利文献1:CERAMICS,39,2004年9月,692-695页
发明内容
发明所欲解决的问题
因此,本发明的目的是提供较廉价、且简便地制造高导热性及充填性优异、平均粒径10~200μm、可用于散热材料用填充物的氮化铝烧结颗粒的方法。
用以解决问题的手段
本案诸位发明人为了达成填出物用球状氮化铝粉末的前述目的,进行精心的研究。其结果,以多孔质的氧化铝颗粒或氧化铝水合物颗粒(本案说明书中,将这些总称为“多孔质氧化铝颗粒”)为原料,对其作还原氮化而成为多孔质氮化铝颗粒之后,烧制此多孔质氮化铝颗粒而使其烧结,藉此成功地获得使来自氧化铝颗粒的微细的细孔消失而在内部无中空部、致密的氮化铝烧结颗粒,而完成本发明。
亦即,本发明是一种氮化铝烧结颗粒的制造方法,包含:一还原氮化步骤,在1400℃以上、1700℃以下的温度对多孔质氧化铝颗粒作还原氮化,成为多孔质氮化铝颗粒;以及一烧结步骤,在1580℃以上、1900℃以下对在上述还原氮化步骤取得的多孔质氮化铝颗粒作烧结。
在本发明中,上述多孔质氧化铝颗粒的平均粒径较好为10~200μm、BET比表面积为2~250m2/g。
另外,较好是在多孔质氧化铝颗粒及多孔质氮化铝颗粒混合碳质粉末的状态下,进行上述还原氮化步骤及上述烧结步骤。
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