[发明专利]在存储器操作中控制主体电势的设备及方法有效

专利信息
申请号: 201380070621.0 申请日: 2013-12-05
公开(公告)号: CN105144298B 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 赵涵;合田晃;克里希纳·K·帕拉;奥雷柳·贾恩卡洛·毛里;刘海涛;丹沢彻;山田重和;作井浩司 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/06
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 存储器 操作 控制 主体 电势 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种在存储器操作中控制主体电势的设备,其包括:

存储器单元串,其包含位于所述设备的不同层级中的存储器单元,所述存储器单元串包含与所述存储器单元相关联的主体;

源极,其耦合到所述存储器单元串;

数据线,其耦合到所述存储器单元串;以及

模块,其经配置以:在操作的第一时间间隔期间执行将信息存储于所述存储器单元中的一存储器单元中及确定存储于所述存储器单元中的一存储器单元中的信息的值中的至少一者;及在所述操作的第二时间间隔期间将具有正值的电压施加到所述源极及所述数据线以控制所述主体的电势。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述模块经配置以在所述操作的第二时间间隔期间将具有正值的电压施加到所述源极及所述数据线中的至少一者包括:所述模块经配置以在所述第二时间间隔期间于所述主体的至少一部分中诱发漏极漏泄电流。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述模块经配置以在所述操作的第二时间间隔期间将具有正值的电压施加到所述源极及所述数据线中的至少一者包括:所述模块经配置以在所述第二时间间隔期间将空穴注入到所述主体中。

4.一种在存储器操作中控制主体电势的设备,其包括:

存储器单元串,其包含位于所述设备的不同层级中的存储器单元及选择晶体管,所述存储器单元串包含与所述存储器单元及所述选择晶体管相关联的主体;

控制栅极,其与所述存储器单元串相关联;

选择栅极,其与所述选择晶体管相关联;

数据线,其耦合到存储器单元串的所述主体;

源极,其耦合到存储器单元串的所述主体;以及

模块,其经配置以:

在对所述存储器单元中的选定存储器单元执行的操作的第一阶段的至少一部分及第二阶段的至少一部分中,将具有正值的第一电压施加到所述控制栅极;

在所述第一阶段的至少一部分中将具有第一值的第二电压施加到所述选择栅极,且在所述第二阶段的至少一部分中将具有第二值的第二电压施加到所述选择栅极;以及

在所述第二阶段的至少一部分中,将具有正值的第三电压施加到所述数据线及所述源极。

5.根据权利要求4所述的设备,其中所述模块经配置以在所述操作的所述第一阶段中将信息存储于所述选定存储器单元中。

6.根据权利要求4所述的设备,其中所述模块经配置以在所述操作的所述第一阶段中确定存储于所述选定存储器单元中的信息的值。

7.根据权利要求4所述的设备,其中所述模块经配置以在所述操作的所述第一阶段中确定存储于所述选定存储器单元中的信息的值是否达到目标值。

8.一种在存储器操作中控制主体电势的设备,其包括:

存储器单元串,其包含位于所述设备的不同层级中的存储器单元及选择晶体管,所述存储器单元串包含与所述存储器单元及所述选择晶体管相关联的主体;

控制栅极,其与所述存储器单元串相关联;

选择栅极,其与所述选择晶体管相关联;

数据线,其耦合到存储器单元串的所述主体;以及

模块,其经配置以:在对所述存储器单元中的一者执行的操作的第一阶段的至少一部分及第二阶段的至少一部分中,将电压施加到所述控制栅极;在所述第一阶段的至少一部分中将具有第一值的电压施加到所述选择栅极,且在所述第二阶段的至少一部分中将具有第二值的电压施加到所述选择栅极;及在所述第二阶段的至少一部分中将具有正值的电压施加到所述数据线及耦合到所述存储器单元串的源极。

9.根据权利要求8所述的设备,其中所述模块经配置以在第一阶段的至少一部分及第二阶段的至少一部分中将电压施加到所述控制栅极包括:所述模块经配置以在所述第一阶段的所述至少一部分中施加具有编程值的电压,且经配置以在所述第二阶段期间将接地电势施加到所述控制栅极。

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