[发明专利]激光装置、光调制装置以及光半导体元件

权利要求书

1.一种激光装置，具有由化合物半导体材料形成的光半导体元件和包括光导波路的波长选择反射元件，其特征在于，

所述光半导体元件具有：

第一增益导波路；

第二增益导波路；

DBR导波路，其形成于所述第一增益导波路与所述第二增益导波路之间；

第一电极，其使电流流过所述第一增益导波路；以及

第二电极，其使电流流过所述第二增益导波路，并且

所述光半导体元件在与所述第二增益导波路连接的元件端面形成有防反射膜，

所述波长选择反射元件中的所述光导波路反射入射的光中规定波长的光，

所述光半导体元件具有激光谐振器，所述第一增益导波路和所述波长选择反射元件被光学耦合，所述激光谐振器以所述第一增益导波路作为增益介质，由所述DBR导波路和所述波长选择反射元件形成。

2.根据权利要求1所述的激光装置，其特征在于，

在所述光半导体元件中的与所述第一增益导波路连接的端面也形成有防反射膜。

3.根据权利要求1或者2所述的激光装置，其特征在于，

在与所述波长选择反射元件同一个基板上，还配置有与所述光半导体元件的第二增益导波路光学连接的光导波路。

4.根据权利要求1或者2所述的激光装置，其特征在于，

所述第一增益导波路、所述第二增益导波路以及所述DBR导波路由包括InP的材料形成。

5.根据权利要求1或者2所述的激光装置，其特征在于，

所述第一增益导波路、所述第二增益导波路以及所述DBR导波路的芯层由包括InGaAsP的材料形成。

6.根据权利要求1或者2所述的激光装置，其特征在于，

形成所述DBR导波路的芯层的化合物半导体材料中的带隙波长比形成所述第一增益导波路以及所述第二增益导波路的芯层的化合物半导体材料中的带隙波长短。

7.根据权利要求1或者2所述的激光装置，其特征在于，

所述第一增益导波路、所述第二增益导波路以及所述DBR导波路形成在由第一导电型的包括InP的化合物半导体材料形成的下部包层上，

在所述第一增益导波路、所述第二增益导波路以及所述DBR导波路上，形成有由第二导电型的包括InP的化合物半导体材料形成的上部包层。

8.根据权利要求7所述的激光装置，其特征在于，

在形成有所述DBR导波路的区域中，在所述下部包层形成有衍射光栅。

9.根据权利要求1或者2所述的激光装置，其特征在于，

使流过所述第一增益导波路的电流固定，并使流过所述第二增益导波路的电流变化，由此来使从所述第二增益导波路的端面射出的激光束的强度发生变化。

10.根据权利要求1或者2所述的激光装置，其特征在于，

与所述第一增益导波路连接的端面形成于所述光半导体元件的一个面，

与所述第二增益导波路连接的端面形成于所述光半导体元件的与所述一个面相反的另一个面。

11.根据权利要求1或者2所述的激光装置，其特征在于，

与所述第一增益导波路连接的端面以及与所述第二增益导波路连接的端面形成于所述光半导体元件中同一侧的面。

12.根据权利要求1或者2所述的激光装置，其特征在于，

所述波长选择反射元件具有：

第一光导波路；

第二光导波路；

环谐振器，其在所述第一光导波路与所述第二光导波路之间由光导波路形成，以及

反射镜，其形成于所述第二光导波路的一部分。

13.根据权利要求12所述的激光装置，其特征在于，

所述反射镜通过使光导波路的宽度周期性地变化而形成。

14.根据权利要求12所述的激光装置，其特征在于，

所述反射镜是环形镜。

15.根据权利要求1或者2所述的激光装置，其特征在于，

所述光导波路是Si光导波路。