[发明专利]发光装置的制造方法和发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及发光装置的制造方法和使用该方法制造的发光装置。

背景技术

历来已知使用例如LED(Light Emitting Diode：发光二极管)芯片等的发光元件的发光装置。使用了LED芯片的发光装置中，为了保护LED芯片自身和与LED芯片电连接的导线，为了提高LED芯片照射的光的取出效率，以及为了使荧光体分散，利用由透明树脂构成的密封材料覆盖LED芯片。LED芯片照射的光透过密封材料的内部从密封材料的表面(光取出面)被向外部放出。在专利文献1中记载有这种现有的发光装置。

专利文献1中记载的发光装置(发光元件封装件)中，在框体(主体)的底部配置的基板(反光杯)上装载发光元件，发光元件通过导线与跟发光元件分离的其它基板电连接。在将导线的两端与发光元件和基板接合时，通常进行如下接合工序：首先将导线的一端与发光元件接合(第一接合)，然后将导线的另一端与跟发光元件分离的基板接合(第二接合)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-254080号公报

发明内容

发明所要解决的问题

此处，已知在导线的第一接合中，导线的接合处正上方的颈部会再结晶。而且已知在导线的再结晶区域金属变脆、容易断裂。

另一方面，覆盖发光元件的密封材料有时使用热膨胀率比较大的材料。而且，可以认为发光装置会由于外部环境和发光元件的点亮、熄灭等而受到温度变化或温度变化的反复。如果密封材料由于该温度变化而反复进行膨胀收缩，则有对导线施加反复应力的可能性。担心该反复应力对导线的再结晶区域产生不利影响，导线更加容易断裂。

也担心这样的问题会由于与发光装置的大型化相伴而来的密封材料的量变多、导线的长度变长而更加显著。

本发明是鉴于上述的问题而完成的发明，其目的在于提供能够尽量抑制与发光元件接合的导线的断裂的发光装置的制造方法和使用该方法制造的发光装置。

解决问题的手段

为了解决上述问题，本发明的发光装置的制造方法的特征在于，具有：框体形成工序，形成框体，该框体具有装载发光元件的装置基板和与上述装置基板分离而通过导线与上述发光元件电连接的端子部，并且，从上述端子部的与上述导线连接的连接面至上述框体的上缘为止的高度低于从上述发光元件的上表面至上述框体的上缘为止的高度；

在上述导线连接的上述发光元件的电极形成凸块的凸块形成工序；

首先将上述导线的一端与上述端子部接合的第一接合工序；

然后将上述导线的另一端与上述凸块接合的第二接合工序；和

在上述框体的内部填充密封材料而将上述发光元件密封的密封工序。

根据该结构，导线的第一接合之处的上方的密封材料的厚度比导线的第二接合之处的上方的密封材料的厚度薄。因此，导线的第一接合之处、即导线的再结晶区域受到的密封材料的膨胀收缩的影响降低。

此外，上述结构的发光装置的制造方法的特征在于：上述凸块形成工序中，在上述发光元件的n电极形成上述凸块。

此外，为了解决上述问题，本发明提供一种发光装置，其特征在于使用上述方法制造。

发明的效果

根据本发明的结构，能够提供能够尽量抑制与发光元件接合的导线的断裂的发光装置的制造方法和使用该方法制造的发光装置。

附图说明

图1是本发明的实施方式的发光装置的截面图。

图2是本发明的实施方式的发光装置的发光元件的截面图。

图3是用于说明本发明的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。

图4是用于说明本发明的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。

图5是用于说明本发明的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。

图6是用于说明本发明的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。

图7是用于说明本发明的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。

图8是用于说明本发明的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。

图9是用于说明本发明的实施例1的发光装置的制造方法的截面图。

图10是用于说明本发明的实施例2的发光装置的制造方法的截面图。

图11是用于说明本发明的实施例2的发光装置的制造方法的截面图。

图12是用于说明本发明的实施例2的发光装置的制造方法的截面图。

图13是用于说明本发明的实施例2的发光装置的制造方法的截面图。