[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

说明书

提出一种光电子半导体器件(5)，所述光电子半导体器件在运行中发射混合色的辐射。光电子半导体器件(5)包括光电子半导体芯片(1)、设有弯曲部的转换元件(4)和间隔元件(3)，所述间隔元件设置在光电子半导体芯片(1)和转换元件(4)之间并且具有朝向转换元件(4)的弯曲的表面(3A)，其中转换元件(4)与弯曲的表面(3A)直接接触。

技术领域

提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件在运行中发射混合色的辐射。此外，提出一种用于制造光电子半导体器件的方法，所述光电子半导体器件在运行中发射混合色的辐射。

背景技术

例如在WO2010/022699中描述一种光电子器件，所述光电子器件发射混合色的辐射。对此，器件具有发射辐射的半导体芯片和转换元件，所述转换元件跨越半导体芯片。远离半导体芯片设置的并且具有三维结构的这种转换元件称作为“远程磷光体”元件。这种器件由于三维结构虽然具有相对高的转换效率，但是与半导体芯片相比具有明显更大的大小。

发明内容

要实现的目的在于，提出一种紧凑的光电子半导体器件，所述光电子半导体器件在运行中以有效的方式将初级辐射转换成次级辐射。另一个目的是，提出一种用于制造这种光电子半导体器件的方法。

所述目的通过根据本发明的实施例的主题和方法来实现。

主题的和方法的有利的实施方式和改进方案从下文的描述和附图中得出。

根据至少一个实施方式，光电子半导体器件具有光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片在运行中产生初级辐射。初级辐射能够与第一(峰值)波长或第一波长范围、尤其是在可见范围中的第一波长范围相关联。

优选地，光电子半导体芯片包括具有用于产生初级辐射的有源区的半导体层序列。有源区能够包括pn结、双异质结构、单量子阱结构(SQW结构)或多量子阱结构(MQW结构)。

半导体层序列除了有源区之外能够包括其他的功能层和功能区域，例如p型或n型掺杂的载流子传输层、未掺杂的或p型或n型掺杂的约束层、熔覆层或波导层、阻挡层、平坦化层、缓冲层、保护层以及其组合。半导体层序列能够借助于外延法、例如借助于金属有机的气相外延(MOVPE)或分子束外延(MBE)在生长衬底上生长。半导体层序列例如能够由基于InxGayAl1-x-yN的材料形成，其中分别有0≤x≤1并且0≤y≤1。在该情况下，半导体层序列适合于发射短波的、可见的、尤其是绿色至蓝色的初级辐射。

光电子半导体芯片具有辐射出射面和至少一个侧面，所述侧面横向于辐射出射面伸展。侧面优选地垂直于辐射出射面伸展。“至少一个侧面”尤其理解成，半导体芯片在其具有柱形的外罩面时具有一个侧面。如果半导体芯片方形地构成，那么其具有四个侧面。

此外，光电子半导体器件优选地具有设有弯曲部的转换元件，所述转换元件设为用于将初级辐射的至少一部分波长转换成次级辐射。次级辐射能够与第二波长范围或第二(峰值)波长相关联，所述第二(峰值)波长尤其大于第一(峰值)波长。因此，转换元件设为用于所谓的“降频转换”，其中由较短波的光激发较长波的光的生成。

转换元件优选地设置在光电子半导体芯片上。

转换元件尤其具有至少一种或多种转换材料，所述转换材料适合于进行波长转换。例如，光电子半导体芯片能够发射蓝光，所述蓝光由转换元件至少部分地转换成绿光和/或红光和/或黄光，使得半导体器件在运行中能够放射白光。转换元件例如能够以颗粒的形式施加，所述颗粒嵌入基体材料、例如塑料、例如硅树脂中。