[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体器件(5)，所述光电子半导体器件在运行中发射混合色的辐射，所述光电子半导体器件包括：

-光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有辐射出射面(1A)和至少一个横向于所述辐射出射面(1A)伸展的侧面(1B)，所述光电子半导体芯片在运行中通过所述辐射出射面(1A)发射初级辐射(6A)，

-设有弯曲部的转换元件(4)，所述转换元件设置在所述光电子半导体芯片(1)上并且设为用于将所述初级辐射(6A)的至少一部分波长转换成次级辐射(6B)，以及

-间隔元件(3)，所述间隔元件设置在所述光电子半导体芯片(1)和所述转换元件(4)之间并且具有朝向所述转换元件(4)的弯曲的表面(3A)，其中

-所述转换元件(4)与所述弯曲的表面(3A)直接接触，

-所述转换元件(4)是施加到所述弯曲的表面(3A)上的厚度均匀的层，

-至少一个所述侧面(1B)由所述转换元件(4)覆盖，并且

-至少一个所述侧面(1B)未由所述间隔元件(3)覆盖。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件(5)，

其中所述间隔元件(3)对所述初级辐射(6A)而言是能穿透的。

3.一种光电子半导体器件(5)，所述光电子半导体器件在运行中发射混合色的辐射，所述光电子半导体器件包括：

-光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有辐射出射面(1A)和至少一个横向于所述辐射出射面(1A)伸展的侧面(1B)，所述光电子半导体芯片在运行中通过所述辐射出射面(1A)发射初级辐射(6A)，

-设有弯曲部的转换元件(4)，所述转换元件设置在所述光电子半导体芯片(1)上并且设为用于将所述初级辐射(6A)的至少一部分波长转换成次级辐射(6B)，以及

-间隔元件(3)，所述间隔元件设置在所述光电子半导体芯片(1)和所述转换元件(4)之间并且具有朝向所述转换元件(4)的弯曲的表面(3A)，其中

-所述转换元件(4)与所述弯曲的表面(3A)直接接触，

-至少一个所述侧面(1B)未由所述间隔元件(3)覆盖，

-所述间隔元件(3)对于所述初级辐射(6A)而言是能穿透的，

-至少一个所述侧面(1B)由所述转换元件(4)覆盖，以及

-所述转换元件(4)具有多个子层。

4.根据权利要求1或3所述的光电子半导体器件(5)，

其中所述间隔元件(3)的朝向所述转换元件(4)的所述弯曲的表面(3A)由所述转换元件(4)完全覆盖。

5.根据权利要求1或3所述的光电子半导体器件(5)，

其中所述间隔元件(3)的朝向所述转换元件(4)的所述弯曲的表面(3A)是凸状弯曲的。

6.根据权利要求1或3所述的光电子半导体器件(5)，

其中所述间隔元件(3)与所述辐射出射面(1A)直接接触。

7.根据权利要求1或3所述的光电子半导体器件(5)，

其中所述间隔元件(3)由透明的塑料材料形成。

8.根据权利要求1或3所述的光电子半导体器件(5)，

所述光电子半导体器件具有光学元件(7)，所述光学元件设置在所述转换元件(4)上。

9.根据权利要求8所述的光电子半导体器件(5)，

其中所述光学元件(7)从所述半导体芯片(1)开始在所述半导体芯片(1)的下游设置在所述辐射出射面(1A)和至少一个所述侧面(1B)上。

10.根据权利要求8所述的光电子半导体器件(5)，

其中所述光学元件(7)是设为用于射束成型的透镜。

11.根据权利要求1或3所述的光电子半导体器件(5)，

其中所述光电子半导体芯片(1)是表面发射的薄膜半导体芯片。