[发明专利]于基板处理系统中控制温度无效
| 申请号： | 201380061308.0 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104813440A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;A·K·班塞尔;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·周;R·萨卡拉克利施纳 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 系统 控制 温度 | ||
1.一种用于处理半导体基板的设备，包括：
处理腔室；
基板支撑件，配置在所述处理腔室中；以及
盖组件，包含导电气体分配器与加热器，所述导电气体分配器耦合至电力源，而所述加热器接触所述导电气体分配器。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述盖组件进一步包含分区阻隔板，所述分区阻隔板位在所述导电气体分配器与气体帽盖件之间。
3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述气体帽盖件包含流体循环导管，且所述气体帽盖件与所述导电气体分配器热连通。
4.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述导电气体分配器是导电面板。
5.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述导电气体分配器具有多个开口，所述分区阻隔板具有多个开口，所述气体帽盖件具有多个开口，所述气体帽盖件的所述开口与所述分区阻隔板以及所述导电气体分配器中的开口流体连通，且所述分区阻隔板的所述开口与所述导电气体分配器中的开口流体连通。
6.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述加热器接触所述导电气体分配器的周边。
7.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述导电气体分配器包含仪器开口。
8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述导电气体分配器进一步包含支撑件插入开口。
9.如权利要求8所述的设备，其特征在于，所述导电气体分配器进一步包含用于RF连接的相接板。
10.一种用于处理半导体基板的设备，包括：
处理腔室，包括腔室主体；
基板支撑件，配置在所述处理腔室中；及
盖组件，包括导电面板、分区阻隔板与冷却气体帽盖件、以及加热环，所述导电面板耦合至电力源，所述分区阻隔板接触所述导电面板，所述冷却气体帽盖件接触所述分区阻隔板且与所述导电面板热连通，所述加热环配置成接触所述导电面板。
11.如权利要求10所述的设备，其特征在于，所述加热环也与所述分区阻隔板接触。
12.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述导电面板包含仪器开口与支撑件插入开口。
13.如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述加热环包含流体导管。
14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述加热环包含电阻加热元件。
15.如权利要求13或14所述的设备，其特征在于，所述导电面板进一步包含用于RF连接的相接板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
