[发明专利]包括颜色微透镜的CMOS图像传感器及其制造方法有效
申请号: | 201380059491.0 | 申请日: | 2013-04-24 |
公开(公告)号: | CN104813474A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 安熙均;元俊镐 | 申请(专利权)人: | (株)赛丽康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 颜色 透镜 cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种包括颜色微透镜的CMOS图像传感器,其包括:
光电检测层,其形成在半导体基底之上并包括用于接收至少一种颜色的光的至少一个光电二极管;
抗反射层,其形成在所述光电检测层之上;
滤色器层,其形成在所述抗反射层之上并包括形成在与至少一个光电二极管各自对应位置的至少一个滤色器;
外敷层,其形成在所述滤色器层之上并包括形成在与至少一个滤色器各自对应位置的至少一个外敷;以及
颜色微透镜层,其形成在所述外敷层之上并包括形成在与至少一个滤色器各自对应位置的至少一个颜色微透镜。
2.一种包括颜色微透镜的CMOS图像传感器,其包括:
光电检测层,其形成在半导体基底之上并包括用于接收至少一种颜色的光的至少一个光电二极管;
抗反射层,其形成在所述光电检测层之上;以及
颜色微透镜层,其用作形成在所述抗反射层之上的滤色器并包括颜色微透镜,所述颜色微透镜用作形成在与至少一个光电二极管各自对应位置的至少一个滤色器。
3.一种包括颜色微透镜的CMOS图像传感器,其包括:
光电检测层,其形成在半导体基底之上并包括用于接收至少一种颜色的光的至少一个光电二极管;
抗反射层,其形成在所述光电检测层之上;以及
颜色微透镜层,其形成在所述抗反射层之上并包括形成在与至少一个光电二极管各自对应位置的至少一个颜色微透镜。
4.根据权利要求1-3任一所述的包括颜色微透镜的CMOS图像传感器,其中至少一种颜色分别包括蓝色、绿色、以及红色。
5.根据权利要求1-3任一所述的包括颜色微透镜的CMOS图像传感器,其中至少一种颜色分别包括青色、品红、以及黄色。
6.根据权利要求1所述的包括颜色微透镜的CMOS图像传感器,其中至少一个滤色器的颜色与对应于该颜色的至少一个颜色微透镜的颜色相同或者彼此不同。
7.一种包括颜色微透镜的CMOS图像传感器的制造方法,其包括以下步骤:
在半导体基底之上形成光电检测层,所述光电检测层包括用于接收至少一种颜色的光的至少一个光电二极管;
在所述光电检测层之上形成抗反射层;
在所述抗反射层之上形成滤色器层,所述滤色器层包括在与至少一个光电二极管各自对应位置的至少一个滤色器;
在所述滤色器层之上形成外敷层,所述外敷层包括形成在与至少一个滤色器各自对应位置的至少一个外敷;以及
在所述外敷层之上形成颜色微透镜层,所述颜色微透镜层包括形成在与至少一个滤色器各自对应位置的至少一个颜色微透镜。
8.一种包括颜色微透镜的CMOS图像传感器的制造方法,其包括以下步骤:
在半导体基底之上形成光电检测层,所述光电检测层包括用于接收至少一种颜色的光的至少一个光电二极管;
在所述光电检测层之上形成抗反射层;以及
在所述抗反射层之上形成颜色微透镜层,所述颜色微透镜层用作滤色器并包括颜色微透镜,所述颜色微透镜用作形成在与至少一个光电二极管各自对应位置的至少一个滤色器。
9.一种包括颜色微透镜的CMOS图像传感器的制造方法,其包括以下步骤:
在半导体基底之上形成光电检测层,所述光电检测层包括用于接收至少一种颜色的光的至少一个光电二极管;
在所述光电检测层之上形成抗反射层;以及
在所述抗反射层之上形成颜色微透镜层,所述颜色微透镜层包括形成在与至少一个光电二极管各自对应位置的至少一个颜色微透镜。
10.根据权利要求7或9所述的包括颜色微透镜的CMOS图像传感器的制造方法,其中在形成颜色微透镜层的步骤中,至少一个颜色微透镜的厚度形成为相等或者彼此不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的