[发明专利]图像处理装置、基于自组装光刻技术的图案生成方法以及计算机程序在审
| 申请号: | 201380058529.2 | 申请日: | 2013-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN104781908A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
| 发明(设计)人: | 酢谷拓路;伊泽美纪;腰原俊介;杉山明之 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B82Y40/00;G01B15/04 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 范胜杰;曹鑫 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像 处理 装置 基于 组装 光刻 技术 图案 生成 方法 以及 计算机 程序 | ||
技术领域
本发明涉及一种对通过扫描电子显微镜等得到的图像进行处理的图像处理装置、生成在使用扫描电子显微镜等的评价中所需的图案的图案生成方法以及计算机程序,尤其涉及一种生成用于确定成为评价对象的图案位置的定址图案数据的图像处理装置、生成定址图案的图案生成方法以及计算机程序。
背景技术
作为形成细微图案的技术之一,有DSA(Directed Self-Assembly;定向自组装技术)。这是利用通过向聚合物施加热处理等来规则性地组织化的特征,并形成细微图案的技术。
在专利文献1中说明了用扫描电子显微镜对通过DSA技术形成的图案进行观察的例子或进行图案的尺寸测定的例子。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-269304号公报(对应美国专利US P8,114,306)
发明内容
发明要解决的问题
另一方面,为了进行使用扫描电子显微镜等的图案评价,需要将扫描电子显微镜的视野(Field Of View:FOV)准确地定位在评价对象图案上。作为在非常细微的评价对象图案上定位FOV的方法,有称为定址(addressing)的方法。定址是通过基于预先准备的模板的匹配处理发现存在于评价对象图案近旁的唯一的图案,并且向与该唯一的图案存在已知的位置关系的评价对象图案进行视野对位的方法。在专利文献1中没有公开在通过DSA技术形成的试样上进行定址的内容,今后预想到需要适用于通过基于DSA的图案形成而生成的试样的定址方法、用于定址的模板生成方法、或适用于定址的图案的生成。
以下,说明以实现适合于通过基于DSA的图案形成而生成的试样上的定址的图像处理为目的的图像处理装置、基于自组装光刻(lithography)技术的图案生成方法以及计算机程序。
用于解决问题的手段
作为用于实现上述目的的一个方式,在以下提出了一种根据基于DSA的图案形成所使用的导向图案数据,来生成用于定址的模板的图像处理装置、基于自组装光刻技术的图案生成方法以及计算机程序。
发明效果
根据上述结构,能够提供一种适合于测定或检查通过基于DSA的图案形成工序形成的图案时的视野对位的定址图案。
根据与附图相关的以下的本发明的实施例的记载,能够明确本发明的其他目的、特征以及优点。
附图说明
图1是表示使用DSA技术的图案形成工序的一例的图。
图2是表示通过使用DSA技术的图案形成工序生成的图案的一例的图。
图3是表示使用DSA技术的图案形成工序的一例的图(导向图案之间的间隔较大的情况)
图4是表示通过使用DSA技术的图案形成工序形成的图案的一例的图(导向图案之间的间隔较大的情况)
图5是扫描电子显微镜的概要结构图。
图6是表示定址图案的生成工序的流程图。
图7是表示成为定址图案的基准的图案数据的一例的图。
图8是表示在定址图案内排列了导向图案的例子的图。
图9表示通过退火(anneal)在定址图案内排列了图案的例子的图。
图10是表示去除随机图案来生成定址图案的工序的流程图。
图11是表示用于选择性地提取退火后定向排列的部分的模板的一例的图。
图12是表示去除随机图案后的定址图案的一例的图。
图13是表示定址图案的生成工序和使用生成的定址图案的测定工序的流程图。
图14是表示具有通过相同制造条件生成的多个芯片的半导体晶片的一例的图。
图15是表示定址图案的设计数据和根据设计数据生成的定址图案的一例的图。
图16是表示导向图案的配置例的图。
图17是说明根据导向图案的配置条件,通过DSA形成的图案变化的例子的图。
图18是表示用于生成SEM(scanning electron microscope,扫描电子显微镜)的配方的配方生成系统的一例的图。
图19是表示将高分子化合物、形成的图案的间距、宽度关联起来存储的表的一例的图。
图20是表示用于设定形成对使用DSA技术而生成的试样进行测定时的定址图案的条件的GUI(Graphical User Interface,图形用户界面)画面的一例的图。
图21是表示测定或检查半导体器件的测定系统或检查系统的一例的图。
具体实施方式
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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