[发明专利]用于OLED装置的散射导电载体和包括它的OLED装置

说明书

本发明的主题是用于有机电致发光二极管装置的散射导电载体和包括它的有机电致发光二极管装置。

已知的有机电致发光系统或者OLED(有机发光二极管)包含一种或多种有机电致发光材料，该材料通过通常呈两个围绕这种(这些)材料的导电层形式的电极进行电流供给。

通过电致发光发射的光使用从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子的复合能(énergie de recombinaison)。

存在不同的OLED构型：

- 底部发射装置(“bottom emission”)，即具有下(半)透明电极和上反射电极；

- 顶部发射装置(“top emission”)，即具有上(半)透明电极和下反射电极；

- 顶部和底部发射装置，即具有下(半)透明电极和上(半)透明电极。

本发明涉及底部发射OLED装置。

对于下透明电极(阳极)，通常使用基于氧化铟，通常用锡掺杂的氧化铟(以缩写ITO熟知的)的层，或者使用薄金属层代替ITO的新型电极结构，以制备发射用于照明的基本上白色光的OLED装置。

此外，OLED显示出低的光提取效率：实际上从玻璃基材排出的光与由电致发光材料发射的光的比率是相对低的，大约0.25。

这种现象特别通过以下事实进行解释：一定量光子仍然被俘获在在电极之间的导模中。

因此期望用于改善OLED效率的解决方案，即用于提高光提取的增益的解决方案。

申请WO2012007575A在表V中的第一系列实施例V.1至V.3中提供OLED装置，其中每个具有由1.6mm的明亮玻璃制成的基材，依次包含：

- 具有50微米厚度的用于提取光的散射层，其包括由包含由氧化锆制成的散射元件的玻璃(从熔化玻璃料获得的釉瓷)制成的基质，

- 呈含银薄层的堆叠体形式的电极，其包含：

　　- “改善”光透射的下层，以这种顺序包含：

　　　- 具有65nm厚度的由TiO₂制成的第一层，其通过在反应性Ar/O₂气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积，

　　　- 由Zn_xSn_yO_z制成的结晶层，其中x+y≥3和z≤6(相对于所有存在的金属的重量%计，优选具有95%重量的锌)，其通过在反应性Ar/O₂气氛下从SnZn合金靶开始的溅射进行沉积，厚度为5nm或者10nm，

　　　- 含银的单一导电层，具有12.5nm的厚度，通过在氩气氛下的溅射进行沉积，

　　- 上层，其包含：

　　　- 2.5nm的由钛制成的牺牲层，其通过在氩气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积；

　　　- 具有7nm厚度的“插入”层，其由氧化钛TiO₂或者铝掺杂的氧化锌(AZO)或者由Zn_xSn_yO_z制成，其中x+y≥3和z≤6(相对于所有存在的金属的重量%计，优选具有95%重量的锌)，其通过在反应性Ar/O₂气氛下从SnZn合金靶开始的溅射进行沉积；

　　　- 1.5nm的由TiN制成的用于表面电性质均匀化的层。其通过在反应性Ar/N₂气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积。

这种电极的平方电阻为约4欧姆/平方。

在表VI中的另一个实施例VI.3中，OLED包括1.6mm的由明亮玻璃制成的基材，其包含：

- 50微米厚度的散射层，其包含由玻璃制成的基质(从熔化玻璃料获得的釉瓷)，该基质包含由氧化锆制成的散射元件，

- 呈包含银的薄层堆叠体形式的电极，其包含：

　　- 用于“改善”光透射的下层，其以这种顺序包含：

　　　- 20nm厚度的由TiO₂制成的第一层，通过在反应性Ar/O₂气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积，

　　　- 5nm的由ZnxSnyOz制成的结晶层，其中x+y≥3和z≤6(相对于所有存在的金属的重量%，优选地具有95%重量的锌)，通过在反应性Ar/O₂气氛下从SnZn合金靶开始的溅射进行沉积，

　　　- 单一的含银导电层，具有23nm的厚度，通过溅射在氩气氛下进行沉积，

　　- 上层，其包含：