[发明专利]用于OLED装置的散射导电载体和包括它的OLED装置无效
申请号: | 201380052483.3 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN104685657A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | D.吉马尔;S.马祖瓦耶;G.勒康;V.索维内 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 黄念;林森 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 oled 装置 散射 导电 载体 包括 | ||
本发明的主题是用于有机电致发光二极管装置的散射导电载体和包括它的有机电致发光二极管装置。
已知的有机电致发光系统或者OLED(有机发光二极管)包含一种或多种有机电致发光材料,该材料通过通常呈两个围绕这种(这些)材料的导电层形式的电极进行电流供给。
通过电致发光发射的光使用从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子的复合能(énergie de recombinaison)。
存在不同的OLED构型:
- 底部发射装置(“bottom emission”),即具有下(半)透明电极和上反射电极;
- 顶部发射装置(“top emission”),即具有上(半)透明电极和下反射电极;
- 顶部和底部发射装置,即具有下(半)透明电极和上(半)透明电极。
本发明涉及底部发射OLED装置。
对于下透明电极(阳极),通常使用基于氧化铟,通常用锡掺杂的氧化铟(以缩写ITO熟知的)的层,或者使用薄金属层代替ITO的新型电极结构,以制备发射用于照明的基本上白色光的OLED装置。
此外,OLED显示出低的光提取效率:实际上从玻璃基材排出的光与由电致发光材料发射的光的比率是相对低的,大约0.25。
这种现象特别通过以下事实进行解释:一定量光子仍然被俘获在在电极之间的导模中。
因此期望用于改善OLED效率的解决方案,即用于提高光提取的增益的解决方案。
申请WO2012007575A在表V中的第一系列实施例V.1至V.3中提供OLED装置,其中每个具有由1.6mm的明亮玻璃制成的基材,依次包含:
- 具有50微米厚度的用于提取光的散射层,其包括由包含由氧化锆制成的散射元件的玻璃(从熔化玻璃料获得的釉瓷)制成的基质,
- 呈含银薄层的堆叠体形式的电极,其包含:
- “改善”光透射的下层,以这种顺序包含:
- 具有65nm厚度的由TiO2制成的第一层,其通过在反应性Ar/O2气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积,
- 由ZnxSnyOz制成的结晶层,其中x+y≥3和z≤6(相对于所有存在的金属的重量%计,优选具有95%重量的锌),其通过在反应性Ar/O2气氛下从SnZn合金靶开始的溅射进行沉积,厚度为5nm或者10nm,
- 含银的单一导电层,具有12.5nm的厚度,通过在氩气氛下的溅射进行沉积,
- 上层,其包含:
- 2.5nm的由钛制成的牺牲层,其通过在氩气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积;
- 具有7nm厚度的“插入”层,其由氧化钛TiO2或者铝掺杂的氧化锌(AZO)或者由ZnxSnyOz制成,其中x+y≥3和z≤6(相对于所有存在的金属的重量%计,优选具有95%重量的锌),其通过在反应性Ar/O2气氛下从SnZn合金靶开始的溅射进行沉积;
- 1.5nm的由TiN制成的用于表面电性质均匀化的层。其通过在反应性Ar/N2气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积。
这种电极的平方电阻为约4欧姆/平方。
由本发明设定的目标是提供具有电极的散射载体,其允许更好提取在白色范围中发射的OLED的光,因此适合于照明应用。
为此,本发明的第一主题是用于OLED的散射导电载体,包含(以这种顺序):
- 透明基材,优选由无机玻璃制成,特别是具有小于或等于1.6的折光指数n2的基材(玻璃),
- 散射层,其为被添加到(直接地)在基材上的(高指数)层,特别地被沉积(直接地)在基材上的层,和/或由该基材的散射表面(被提供散射)形成,该层特别地具有微米的厚度并且优选是无机的(釉瓷等等),
- 高指数层,(直接地)在散射层上方,具有大于或等于1.8,优选大于或等于1.9,优选小于或等于2.2的折光指数n0,特别地具有至少0.2微米、0.4微米,甚至至少1微米的厚度,优选是无机的(釉瓷等等),该高指数层优选地与散射层不同,
其中该散射层和高指数层的整体优选具有至少微米的厚度,该高指数层特别地参与或者用于使该散射层光滑/平滑化中,例如以避免短路,
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择