[发明专利]自动化检验情境产生无效
申请号: | 201380052470.6 | 申请日: | 2013-08-13 |
公开(公告)号: | CN104718606A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 莫汉·马哈德万;戈文德·塔台孙德拉姆;阿贾伊·古普塔;简-于埃尔(亚当)·陈;贾森·基里伍德;阿肖克·库尔卡尼;松戈尼安·龙;埃内斯托·埃斯科尔西亚 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自动化 检验 情境 产生 | ||
技术领域
所描述的实施例涉及用于晶片检验的系统,且更特定来说,所描述的实施例涉及晶片检验中的自动化方案产生。
背景技术
通常,通过应用于衬底或晶片的一序列处理步骤而制造例如逻辑装置及存储器装置等半导体装置。通过这些处理步骤而形成所述半导体装置的各种特征及多个结构层级。例如,光刻(尤其)为涉及在半导体晶片上产生图案的一种半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可制造于单一半导体晶片上且接着被分成个别半导体装置。
在半导体制造工艺期间的各种步骤中使用检验工艺来检测晶片上的缺陷以促进良率提高。随着设计规则及工艺窗在尺寸上持续收缩,需要检验系统来捕获晶片表面上的更广范围的物理缺陷,同时维持高生产率。
许多不同类型的检验系统具有可调获取模式参数(例如数据、信号及/或图像获取参数)、可调缺陷检测参数及可调缺陷分类参数。不同参数用于检测不同所关注缺陷且避免引起无用公害事件的噪声源。通过使单个工具能够成功鉴别广范围的缺陷,具有可调获取模式参数、缺陷检测及分类参数的检验系统向半导体装置制造者提供显著优势。然而,成功检验需要正确地选择这些参数。参数选择较复杂且不可预测,这是因为晶片特性、缺陷特性、工艺条件及晶片上的噪声会显著变动。
对于需要从公害事件识别所关注缺陷的检验任务,针对半导体层的成功检验方案应最大化所检测的所关注缺陷(DOI)的数目,同时最小化所检测的公害事件的数目。广义而言,对于需要缺陷分级的检验任务,针对半导体层的成功检验方案应最大化经正确分级的缺陷的数目,同时最小化所检验的公害事件的数目。制定检验方案一般涉及:单独调谐获取模式参数、缺陷检测参数及缺陷分类参数,直到实现所要结果为止。由于人工地考虑获取模式参数、缺陷检测参数及缺陷分类参数的组合,所以此工艺涉及大量人工努力。在一些情况中,可以自动化方式考虑缺陷检测参数及获取模式参数或分类参数,但此仍需要人工考虑两个参数空间内的参数集的组合以达成所要检验方案。
因此,开发用于在无需用户介入的情况下从晶片的扫描结果产生组合获取模式、缺陷检测及分类参数的检验情境的方法及/或系统将是有利的。
发明内容
本发明呈现用于在无需来自用户的输入的情况下确定检验情境的方法及系统。检验情境包含至少一个获取模式、缺陷检测参数值及分类参数值。接收包含某一数目个缺陷事件及与所述缺陷事件关联的分类及属性的某一数量的经标记缺陷数据。在无需用户输入的情况下基于所述经标记缺陷数据而确定某一数目个检验情境。所述检验情境为由所述经识别的属性形成的数学空间内的解。在一些实例中,确定多个检验情境且从所述多个检验情境选择所要检验情境,所述选择基于所述数目个所关注缺陷及由所述所选检验情境捕获的某一数目个公害事件。在这些实例中的一些实例中,自动地做出选择。
在一个实例中,通过晶片表面的热检验而确定某一数目个缺陷事件。分类所述缺陷事件且识别与每一缺陷事件关联的属性。以此信息标记所述缺陷事件。基于所述经识别的属性及分类而确定检验情境。
在其它实例中,某一数目个缺陷事件源自通过检验晶片表面的一部分而确定的光学装置选择器(OS)数据。分类所述缺陷事件且识别与每一缺陷事件关联的属性。以此信息标记所述缺陷事件。基于所述经识别的属性及分类而确定检验情境。
在一些实例中,经标记缺陷数据与以不同获取模式执行的晶片扫描关联。另外,由所述经标记缺陷数据确定的检验情境包含所述不同获取模式中的至少两者的组合。
以上内容为概要且因此必然存在简化、一般化及细节省略。因此,所属领域的技术人员应了解,所述概述仅具说明性且决不具限制性。本文所描述的装置及/或工艺的其它方面、发明特征及优点将在本文所阐述的非限制性详细描述中显而易见。
附图说明
图1为说明包含检验情境优化功能性的晶片检验系统100的简化图。
图2为说明实施如本文所描述的自动化检验情境优化的系统的一个实施例的简化图。
图3为说明包含获取模式的组合的检验情境的简化图。
图4为说明包含多模式情境的多个检验情境的图式。
图5为说明确定检验情境的方法200的流程图190。
具体实施方式
现将详细参考本发明的背景实例及一些实施例,在附图中说明本发明的实例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造