[发明专利]自动化检验情境产生无效
申请号: | 201380052470.6 | 申请日: | 2013-08-13 |
公开(公告)号: | CN104718606A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 莫汉·马哈德万;戈文德·塔台孙德拉姆;阿贾伊·古普塔;简-于埃尔(亚当)·陈;贾森·基里伍德;阿肖克·库尔卡尼;松戈尼安·龙;埃内斯托·埃斯科尔西亚 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自动化 检验 情境 产生 | ||
1.一种方法,其包括:
接收某一数量的经标记缺陷数据,所述经标记缺陷数据包含多个缺陷事件、与所述多个缺陷事件中的每一者关联的分类及与所述多个缺陷事件中的每一者关联的多个属性;及
在无需来自用户的输入的情况下基于所述经标记缺陷数据而确定多个检验情境,每一检验情境包含与所述检验情境关联的获取模式、缺陷检测算法参数值及分类算法参数值。
2.根据权利要求1所述的方法,其中与所述多个缺陷事件中的每一者关联的所述分类包含真实缺陷、所关注缺陷及公害事件中的任何者。
3.根据权利要求1所述的方法,其中与所述多个缺陷事件中的每一者关联的所述多个属性包含MDAT灰阶值、缺陷量值、MDAT偏移及能级中的任何者。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述数量的经标记缺陷数据为经标记光学装置选择器数据及经标记热扫描数据中的任何者。
5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
从所述多个检验情境选择检验情境,所述选择基于与所述所选检验情境关联的某一数目个所关注缺陷及某一数目个公害事件的所要组合。
6.根据权利要求5所述的方法,其中在无需来自用户的输入的情况下执行所述选择。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个检验情境的所述确定涉及确定多维空间内的解,其中每一维度由所述多个属性中的每一者定义。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述数量的经标记缺陷数据与各自以不同获取模式执行的至少两个检验扫描关联。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述多个检验情境的所述确定涉及至少一个检验情境,所述至少一个检验情境包含所述至少两个获取模式中的至少两个获取模式的组合。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述至少两个获取模式中的所述至少两个获取模式的所述组合包含针对特定数目个公害事件的最大数目个所关注缺陷。
11.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
通过使用第一获取模式及第一预定组的缺陷检测参数来检验晶片而确定所述多个缺陷事件。
12.根据权利要求11所述的方法,其进一步包括:
通过扫描电子显微镜SEM检视而确定与所述多个缺陷事件中的每一者关联的所述分类及与所述多个缺陷事件中的每一者关联的所述多个属性。
13.一种非暂时性计算机可读媒体,其包括:
用于致使计算机接收某一数量的经标记缺陷数据的代码,所述数量的经标记缺陷数据包含多个缺陷事件、与所述多个缺陷事件中的每一者关联的分类及与所述多个缺陷事件中的每一者关联的多个属性;及
用于致使所述计算机在无需来自用户的输入的情况下基于所述经标记缺陷数据而确定多个检验情境的代码,每一检验情境包含与所述检验情境关联的获取模式、缺陷检测算法参数值及分类算法参数值。
14.根据权利要求13所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述多个检验情境的所述确定涉及确定多维空间内的解,其中每一维度由所述多个属性中的每一者定义。
15.根据权利要求13所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述数量的经标记缺陷数据与各自以不同获取模式执行的至少两个检验扫描关联。
16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述多个检验情境的所述确定涉及至少一个检验情境,所述至少一个检验情境包含所述至少两个获取模式中的至少两个获取模式的组合。
17.一种设备,其包括:
多个存储元件,其经配置以存储某一数量的经标记缺陷数据,所述数量的经标记缺陷数据包含多个缺陷事件、与所述多个缺陷事件中的每一者关联的分类及与所述多个缺陷事件中的每一者关联的多个属性;及
检验情境优化工具,其经配置以:
接收所述数量的经标记缺陷数据;及
在无需来自用户的输入的情况下基于所述经标记缺陷数据而确定多个检验情境,每一检验情境包含与所述检验情境关联的获取模式、缺陷检测算法参数值及分类算法参数值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造