[发明专利]具有覆盖层的压力传感器有效
申请号: | 201380051412.1 | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN104755895B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 本杰明·莱姆克;雷涅·齐尔曼;塞巴斯蒂安·波贝林;拉尔夫·罗德 | 申请(专利权)人: | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 |
主分类号: | G01L9/00 | 分类号: | G01L9/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 张焕生,谢丽娜 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 覆盖层 压力传感器 | ||
1.压力传感器(1),包括:
基板(2),具有形成于其中的测量膜片(3),且配备有传感器元件(12,13);
覆盖层(4),所述覆盖层(4)是导电的,其中所述覆盖层(4)具有电接触元件(5,6,7,8)且通过绝缘层(9)与所述基板(2)电隔离开,
其特征在于
所述覆盖层(4)被分割成彼此电隔离的第一电阻区域(10)和第二电阻区域(11)以使得各自电阻可测量,
其中,所述覆盖层(4)的第一电阻区域(10)和第二电阻区域(11)分别设有至少两个电接触元件(5,6,7,8)以用于电接触,
其中,所述覆盖层(4)至少部分地或全部地由多晶硅组成,
其中,所述覆盖层(4)的第一电阻区域(10)完全地或者部分地覆盖所述测量膜片(3),并且所述覆盖层(4)的第一电阻区域(10)相对于外部电场屏蔽所述测量膜片(3)的传感器元件(12,13),并且
其中,所述覆盖层(4)的第二电阻区域(11)布置成使得在其上的所述测量膜片(3)的机械反应小到可忽略不计。
2.根据权利要求1所述的压力传感器(1),其中,所述覆盖层(4)与所述传感器元件(12,13)具有不同的掺杂度。
3.根据权利要求1所述的压力传感器(1),其中,所述覆盖层(4)沉积在所述绝缘层(9)上,并且通过光刻和/或蚀刻的方法进行分割。
4.根据权利要求2所述的压力传感器(1),其中,所述覆盖层(4)沉积在所述绝缘层(9)上,并且通过光刻和/或蚀刻的方法进行分割。
5.根据权利要求1至4之一所述的压力传感器(1),其中,所述传感器元件是植入式高掺杂压电电阻传感器元件。
6.根据权利要求1至4之一所述的压力传感器(1),其中,所述覆盖层(4)是低掺杂的多晶硅。
7.使用压力传感器(1)的方法,该压力传感器包括:基板(2),测量膜片(3)以及覆盖层(4),所述覆盖层(4)是导电的,其中所述覆盖层(4)具有电接触元件(5,6,7,8)且通过绝缘层(9)与所述基板(2)电隔离开,所述覆盖层(4)被分割成彼此电隔离的第一电阻区域(10)和第二电阻区域(11)以使得各自电阻可测量,其中,所述覆盖层(4)的所述第一电阻区域(10)和所述第二电阻区域(11)分别设有至少两个电接触元件(5,6,7,8)以用于电接触,其中,所述覆盖层(4)至少部分地或全部地由多晶硅组成,其中,所述覆盖层(4)的第一电阻区域(10)完全地或者部分地覆盖所述测量膜片(3),并且所述覆盖层(4)的第一电阻区域(10)相对于外部电场屏蔽所述测量膜片(3)的传感器元件(12,13),其中,所述覆盖层(4)的第二电阻区域(11)布置成使得在其上的所述测量膜片(3)的机械反应小到可忽略不计,其中
-测量所述覆盖层(4)的第二电阻区域(11)的电阻,
-根据所测量的电阻,确定所述覆盖层(4)的温度,以及
-借助于所确定的温度,补偿所述压力传感器(1)的压力测量信号的温度影响。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,测量所述覆盖层(4)的第一电阻区域(10)的电阻,并且在该电阻变化的情况下,指示所述覆盖层(4)和/或所述测量膜片(3)的损坏。
9.根据权利要求7或8的方法,其中,经由优化的传感器元件(12,13)确定与压力有关的信号。
10.根据权利要求7或8的方法,其中,所述覆盖层(4)是低掺杂的多晶硅。
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