[发明专利]用作有机电子器件的n型掺杂剂的环戊二烯的盐有效

专利信息
申请号: 201380049961.5 申请日: 2013-09-11
公开(公告)号: CN104685650B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: G.施密德;J.H.威姆肯 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 贾静环
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用作 有机 电子器件 掺杂 环戊二烯
【权利要求书】:

1.有机电子传导层,其具有用于增加该有机电子传导层的n型导电性的至少一种掺杂剂,其特征在于,所述掺杂剂选自根据式1的环戊二烯化合物的盐类所组成的组:

其中取代基R1至R5各自独立地选自包括以下的组:-H、-D、卤素、-CN、-NO2、-OH、胺、醚、硫醚、烷基、环烷基、丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、芳烃、稠合芳烃和杂芳烃,

其中所述有机电子传导层包含选自碱金属的组的金属阳离子M+,所述碱金属的组包括锂、钠、钾、铷和铯。

2.根据权利要求1所述的有机电子传导层,其中所述掺杂剂选自未经取代的或经取代的五芳基环戊二烯盐所组成的组。

3.根据权利要求1或2所述的有机电子传导层,其中所述有机电子传导层包含选自包括铷和铯的重碱金属组的金属阳离子M+

4.根据权利要求1或2所述的有机电子传导层,其中所述掺杂剂的有机部分以大于或等于-1且小于或等于0的氧化价存在于所述有机电子传导层中。

5.根据权利要求1或2所述的有机电子传导层,其中通过溶剂法或升华法将所述有机电子传导层施加在元件上。

6.根据权利要求1或2所述的有机电子传导层,其中所述环戊二烯化合物的盐具有大于或等于175g/mol且小于或等于2000g/mol的分子量,并且具有大于或等于120℃且小于或等于600℃的升华温度。

7.根据权利要求1或2所述的有机电子传导层,其中所述掺杂剂以大于或等于0.01%且小于或等于50%的层厚浓度存在于所述有机电子传导层中。

8.制造根据权利要求1~7中任一项所述的有机电子传导层的方法,其中通过使用盐类环戊二烯化合物的溶剂法或升华的方法将所述有机电子传导层施加至元件。

9.根据权利要求8所述的方法用于制造应用在有机太阳能电池、有机晶体管或发光有机元件中的有机电子传导层的用途。

10.根据权利要求9所述的用途,其中所述有机电子传导层用于有机发光二极管和/或有机发光电化学电池中。

11.有机电子元件,其包括所制造的根据权利要求1~7中任一项所述的有机电子传导层。

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