[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：

开口部；

与所述开口部连通，且所述开口部以外被电介质构件包围的环状腔；

用于向所述环状腔的内部导入气体的气体供给配管；

设置于所述环状腔附近的线圈；

连接于所述线圈的高频电源；和

用于接近所述开口部配置基材的基材载置台，

沿着与所述基材载置台所形成的面垂直的面设置所述环状腔，

所述环状腔为形成一个连续闭合的绳状的长腔，

所述环状腔的粗细为1mm以上、10mm以下，

所述环状腔的外径为10mm以上。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述环状腔为长形，所述开口部为长的线状，所述线圈在与所述开口部的长度方向平行的朝向上具有长形，在相对于所述开口部的长度方向垂直的朝向上具备能够使所述腔与所述基材载置台相对地移动的移动机构。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述线圈沿着与所述基材载置台所形成的面垂直的面设置。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述电介质构件通过将两个电介质块贴合来构成，在所述两个电介质块中的至少一方形成槽，从而构成环状腔。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述开口部的端面与所述基材之间的距离为1mm以下。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述开口部的开口宽度与所述环状腔的粗细相等。

7.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，

所述线圈设置于所述两个电介质块的双方的外侧。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

在所述线圈的内侧设置接地的导体。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

以配置有所述基材时包围所述基材的边缘部的方式，在所述基材载置台的周围设置有平板状的盖。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖的表面与配置有所述基材时的所述基材的表面构成为位于同一平面上。

11.一种等离子体处理方法，其特征在于，

开口部以外向由电介质构件包围的环状腔内供给气体，并向线圈供给高频电力，从而在所述环状腔内产生高频电磁场并产生等离子体，接近所述开口部配置基材，并将基材暴露于所述开口部附近的等离子体，从而对所述基材的表面进行处理，所述环状腔为形成一个连续闭合的绳状的长腔，

在沿着与所述基材所形成的面垂直的面设置的所述环状腔内产生等离子体。