[发明专利]掩模数据产生方法、执行该方法的程序和信息处理装置

说明书

技术领域

本公开涉及掩模数据产生方法、执行该方法的程序和信息处理装置。

背景技术

曝光装置被用在制造半导体器件的工艺的光刻步骤中。光刻步骤是将半导体器件的电路图案转印到基板(硅基板、玻璃基板或晶片等)上的步骤。曝光装置通过使用来自光源的光用照明光学系统照射掩模(刻线)，并由此将通过投影光学系统等在掩模上形成的电路图案转印到晶片上。近年来，由于半导体器件的图案微型化的发展，晶片通过使用多个掩模在多个场合下被曝光，由此执行多次曝光操作以在晶片上的单个层上形成相应的多个掩模图案。一般地，曝光装置的分辨率极限由hp＝k₁×λ/NA表示。符号hp是半间距的缩写，是相邻图案之间的最短距离的一半。符号k₁是处理因子，λ是曝光光(exposure light)波长，NA是曝光装置的数值孔径。多次曝光操作是这样一种技术，即，将半间距比曝光装置的分辨率极限的半间距小的图案划分和曝光成多个掩模图案，以由此使得能够对比用单次常规曝光未给予足够的曝光余量的分辨率极限更精细的图案进行解析(resolution)。

将单个布局(图案)划分成多个掩模图案的方法包括诸如颜色的划分涂敷(一般称为着色问题)之类的特性。图案划分的特征可使用诸如划分颜色涂敷之类的表述。将原始目标图案划分成多个掩模图案的方法包括专利文献1中公开的通过使用迭代方法来应用划分规则的方法。具体而言，该方法确定划分规则，并且通过对考虑的图案应用划分规则来将掩模归为第一掩模或将掩模归为第二掩模，并然后对每个图案重复该操作。此外，专利文献2公开了使用冲突图的图案划分方法和数学规划的方法。冲突图是根据点和边而配置的图，并且在图案划分的实例中，每个掩模图案由点表示，并且超过分辨率极限的图案由边连接。使用数学规划的方法来计算图案划分，使得两个边的掩模号码为不同的号码。

引文列表

专利文献

专利文件1：美国专利申请No.2007/0031740

专利文件2：美国专利申请No.2011/0078638

对此，通过减少掩模图案划分的数量来抑制掩模的制造成本，并且已经提出了增大处理因子k₁的光刻友好的图案划分。更具体地，最大化经划分的图案之间的最小距离是优选的。但是，在专利文献1中公开的方法仅提出了掩模图案划分，而没有提出最大化经划分的图案之间的最小距离。此外，在专利文献2中公开的方法鉴于缝合考虑了图案的重叠长度的检查，但是也没有提出最大化经划分的图案之间的最小距离这一点。

发明内容

鉴于以上情况，提出了本公开，并且例如提供了减少掩模图案划分的数量并且最大化经划分的图案的图案元素之间的最小距离的光刻友好的掩模数据产生方法。

本公开是一种用于产生在多次曝光中所使用的多个掩模的数据的掩模数据产生方法，在所述曝光中通过使用掩模将曝光光照射到基板上并然后通过使用另一掩模将曝光光照射到基板上。该方法包括以下步骤：获得包含多个图案元素的图案的数据，确定用于图案元素的配置限制条件(disposition limitation condition)的规划，分析图案元素之间的距离，确定距离限制条件的规划，以及在成本函数中应用被配置为表示图案划分的数量的第一变量和被配置为表示与所有图案元素有关的距离的第二变量，并由此划分图案

参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得明白。

附图说明

图1是示出了根据一个实施例的产生掩模数据的流程的流程图。

图2A示出了划分之前的掩模图案。

图2B示出了根据传统技术的划分之后的掩模图案。

图2C示出了根据一个实施例的划分之后的掩模图案。

图3示出了准备冲突图的顺序。

具体实施方式

下面将参照附图描述用于执行本公开的实施例。当产生在各种类型的设备的制造或微观结构中使用的掩模(原始)的图案数据时，应用本公开，所述设备诸如为例如CCD等的成像元件、例如磁头等的检测元件、例如液体面板等的显示元件或者例如IC或LSI等的半导体芯片。