[发明专利]用于制造光电子构件的方法

说明书

一种用于制造多个光电子构件(100)的方法，其包括下述步骤：提供半导体本体(101)，所述半导体本体设置在载体(114)上；借助于光电导的转移元件(120)将转换器材料(105)施加到半导体本体(101)上。

技术领域

本发明涉及一种用于制造光电子构件的、尤其是对由芯片发射的辐射的至少一部分进行波长转换的光电子构件的方法。

背景技术

由光电子构件例如LED芯片生成的光的转换例如用于借助于发射蓝光的LED芯片经由加合性色彩混合来产生白光。由芯片发射的光在此能够完全地或部分地被转换。转换器例如为嵌入聚合物基体中的颜料，或者为由烧结的磷颗粒构成的陶瓷小板。在此，转换率由例如转换器小板的层厚度和多孔性、颗粒大小和温度的参数来确定。为了制造芯片转换器系统，在此通常借助于层转移将转换器小板设置于芯片上。

芯片转换器系统的色度坐标应尽可能精确地对应于预设的色度坐标，其中共同制造的全部系统的统一的色度坐标和特定的分布会是期望的。对此，一个晶片的各个芯片转换器系统例如可以在分割后根据其色度坐标来分类。系统的色度坐标分布由于不同的效果而非常宽，例如由于芯片的发射特征变化、芯片表面与转换器小板之间的粘贴层厚度变化和在安置转换器小板时的变化而非常宽。

发明内容

期望提出一种用于制造光电子构件的方法，其中实现使光电子构件的至少一个特性精确地且成本适宜地匹配于预设的期望值。

在本发明的一个实施方式中，用于制造光电子构件的方法包括：提供半导体本体，所述半导体本体设置在载体上。借助于光电导的转移元件将转换器材料施加到半导体本体上。

半导体本体尤其在所谓的人工晶片上提供。载体与半导体本体的生长衬底不同。此外，半导体本体借助接触布线与载体电耦合。在载体上根据实施方式设置有多个半导体本体。

通过借助于光电导的转移元件施加转换器材料而可行的是：针对每个单独的半导体芯片单独精确地预设转换器材料的量。由此可以简单地在制造过程期间受控地设定色度坐标。

根据实施方式，施加转换器材料包括对光电导的转移元件静电充电。光电导的转移元件根据预设的图案局部地放电。转换器材料通过静电吸合施加到光电导的转移元件上。转换器材料借助于电磁场从光电导的转移元件传递到半导体本体上。

通过光电导的转移元件的静电充电和后续的局部放电可行的是：精确地设定施加到半导体本体上的转换器材料的量。转换器材料通过静电吸合到转移元件的未放电的区域上而吸合到转移元件上。未放电的区域随后对应于半导体本体相对于转移元件的位置。

当设有多个半导体本体时，转换器材料通过静电吸合分别设置在转移元件的随后与半导体本体的相应的位置相对应的区域上。借助于光电导的转移元件的局部的放电来设定转换器材料的分别施加到半导体本体上的量。在此，预设的图案例如对应于要施加的转换器材料的针对每个单独的半导体本体所预设的量。因此例如可行的是，在共同的过程中与第二半导体本体无关地精确地以预设量的转换器材料对第一半导体本体覆层。

根据其他实施方式，借助于光入射进行光电导的转移元件的局部放电。例如，光借助于LED来入射。

根据实施方式，将转换器材料在施加之后固定。例如，固定以热学的方式进行。对此，转换器材料具有可热活化的粘结剂。根据另外的实施方式，通过施加到转换器材料上的固定层进行固定。尤其地，固定层液态地施加并且随后硬化。

转换器材料根据实施方式以粉末的形式施加。粉末例如具有SiO2和/或Al2O3和/或氧化物和/或氮化物。根据另外的实施方式，粉末具有CE掺杂的石榴石材料。尤其，转换器材料的各个颗粒具有3μm至15μm的大小。