[发明专利]将衬底与探针卡抵接的方法有效
申请号: | 201380040633.9 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN104508812B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 古屋邦浩;山田浩史;百留孝宪;望月纯 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/28 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 探针 卡抵接 方法 | ||
技术领域
本发明涉及将形成在衬底例如晶片上的半导体器件的电极抵接到设置在衬底检查装置的探针卡的探针的将衬底与探针卡抵接的方法。
背景技术
作为晶片检查装置,已知例如对形成在晶片上的多个半导体器件进行电特性检查的探针装置和老化(burn in)检查装置。
图11是表示现有的探针装置的概略结构的截面图。
在图11中,探针装置100包括:形成搬送晶片W的搬送区域的加载室101;和进行形成在晶片W的多个半导体器件的电特性检查的检查室102,由控制装置控制加载室101和检查室102内的各种设备进行半导体器件的电特性检查。检查室102包括:载置由搬送臂103从加载室101搬入的晶片W并将其在X、Y、Z和θ方向上移动的载置台106;配置在载置台106的上方的弹性架(pogo frame)109;和支承于弹性架109的探针卡108;与载置台106协作使设置在探针卡108的多个探针(检查针)与形成在晶片W的多个半导体器件的各电极的相对位置对准的对位机构110。通过对位机构110和载置台106的协作使晶片W和探针卡108的相对位置对准后,探针卡108的各探针分别抵接到晶片W的各电极,进行形成在晶片W的多个半导体器件的电特性检查(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-140241号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
然而,现有的晶片检查装置的探针卡与晶片的抵接方法存在如下问题:在将载置有晶片W的载置台(吸盘部件)移动至支承于晶片检查装置的晶片检查用接口的探针卡位置后,使晶片W由升降装置(升降器)按每个载置台上升,由此使设置在晶片W的半导体器件的各电极与设置在探针卡的各探针抵接,在半导体器件的各电极与各探针的抵接部分的接触电阻容易发生偏差,无法良好地检查半导体器件的电特性。
本发明想要解决的技术问题在于提供一种能够良好地进行设置在衬底的半导体器件的电特性检查的衬底检查装置的将衬底与探针卡抵接的方法。
用于解决问题的技术方案
根据本发明,提供一种将衬底与探针卡抵接的方法,用于将上述衬底抵接到对形成在衬底的半导体器件的电特性进行检查的衬底检查装置的探针卡,上述将衬底与探针卡抵接的方法的特征在于,包括:将上述衬底隔着板状部件载置在吸盘部件上后搬送至与上述探针卡相对的位置的搬送步骤;使在上述搬送步骤中所搬送的上述衬底与上述板状部件一起向上述探针卡移动,使设置在上述衬底的上述半导体器件的多个电极与设置在上述探针卡的多个探针抵接后,使上述衬底与上述板状部件一起进一步向上述探针卡移动规定量的抵接步骤;在上述抵接步骤后,对上述探针卡与上述板状部件之间的空间进行减压,保持上述半导体器件的上述多个电极与上述探针卡的上述多个探针的抵接状态的保持步骤;和在上述保持步骤后,将上述吸盘部件从上述板状部件分离的脱离步骤。
在本发明中,优选:上述抵接步骤中的上述规定量为10~150μm。
在本发明中,优选:上述保持步骤中的上述空间的减压压力被调整成能够获得如下抵接力的压力,该抵接力能够克服上述衬底与上述板状部件的自重和上述半导体器件的上述多个电极与上述探针卡的上述多个探针的抵接反作用力的合计值。
在本发明中,优选:在上述保持步骤中,阶段性地对上述空间的压力进行减压。
在本发明中,优选:在上述板状部件的周围设置有用于将该板状部件与上述探针卡之间的上述空间密封的密封部件。
在本发明中,优选:上述脱离步骤后的吸盘部件移动至对应于与上述探针卡不同的探针卡的位置,用于进行形成在与上述衬底不同的衬底的半导体器件的电特性的检查。
在本发明中,优选:在上述保持步骤中,基于对上述吸盘部件的上表面与上述探针卡的安装面或者上述吸盘部件的上述上表面与上述探针卡的下表面之间的距离进行检测的距离检测传感器的检测值,对上述空间内的压力进行调整。
在本发明中,优选:还包括:在上述脱离步骤后,对上述空间进一步减压,使上述半导体器件的上述多个电极与上述探针卡的上述多个探针的抵接压力提高的减压步骤。
发明效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造